SiO2厚膜形成用プラズマCVD装置

厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）

PD-270STPは、液体ソースのTEOSによるシリコン酸化膜（SiO2）形成用の低温、高速プラズマCVD装置です。カソード側の高いシース電界で得られるイオンエネルギーにより、薄膜から厚膜までのシリコン酸化膜を低ストレスで形成することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： サムコ株式会社

プラズマCVD装置

プラズマCVD装置

PD-220LCは、各種シリコン系薄膜（Si3N4、SiO2等）を形成するための量産型プラズマCVD装置です。トレーカセット方式、真空カセット室を採用し、φ4インチウエハー月間3000枚の高スループットを実現しています。本装置では、化合物半導体プロセスでのパッシベーション膜や層間絶縁膜などの均一性...

メーカー・取り扱い企業： サムコ株式会社

プラズマCVD装置

プラズマCVD装置

PD-220NLは、納入実績の豊富なプラズマCVD装置『PD-220シリーズ』での経験をもとに開発したロードロック式装置です。本装置は、コンパクトな設計でありながら基板有効径がφ220mmあります。各種シリコン系薄膜（Si3N4、SiO2等）の形成...

メーカー・取り扱い企業： サムコ株式会社

【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工

これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します

当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。 また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応で きる装置を提供。 当資料では、これまでの加工実績をベース...

メーカー・取り扱い企業： サムコ株式会社