Diode | イプロスものづくり

軟Ｘ線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100％

OPTO DIODE(旧IRD)社は米NIST・LLNL他研究機関と共同で、軟Ｘ線〜ＵＶ領域において内部量子効率がほぼ100％のSiフォトダイオードを開発しました。取扱い易く、小型のSiフォトダイオードは、高光エネルギー研究分野のみならず、エレクトロン・イオンの領域においても期待されています。...★特長★ ‐ 対応波長感度領域*：0.04nm〜1100nm (エネルギー領域：1.12eV〜...

メーカー・取り扱い企業：ラドデバイス株式会社

IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE

高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子

1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー...インバータ制御、自動車電子制御、工作機械制御、産業機械制御、電車制御、通信機器制御...

メーカー・取り扱い企業：株式会社トランシー

一体型レーザ『JUNO Direct Diode Laser』

バイオ分析や蛍光分析に！半導体レーザの温度制御で安定性がある組込用レー…

『JUNO Direct Diode Laser』は、各波長の半導体レーザをモジュール化しコントローラを内蔵した一体型のコンパクトレーザです。半導体レーザの温度制御により、各種の安定性を確保。超コンパクトヘッドに加...

メーカー・取り扱い企業：京セラSOC株式会社

Infineon-Diodeモジュール

Power BLOCKデュアルダイオード整流ダイオードモジュールには、…

製品：Infineon-DiodeモジュールDD89N16KHPSA1については、圧力接触技術整流ダイオードモジュールの範囲は20mmから60mmで、電圧範囲は最大1800V、電流は600Aで、 Power BLOCK整流ダイ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

RENESAS-HZシリーズZENER DIODE

漏洩電流及び動作抵抗が小さいZENER DIODE

許容損失は小さい値であるツェナー電圧も豊富な範囲にある ...製品RENESAS-HZシリーズZENER DIODEの基本情報は以下のようになる： 1.許容損失は500mWである 2.ツェナー電圧が1.6V～38Vと豊富である 3.電圧区分も区分される ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

DIODES-BCR420UW6-7 DIODE

NPNエミッタフォロワとエミッタ抵抗を使用したLED定電流レギュレータ

・IOUT–10mA±10％定電流で、VOUT–40V供給電圧・外部抵抗(BCR421U)で調整可能な最大350mAのIOUT ...製品DIODES-BCR420UW6-7 DIODEの基本情報は以下のようになる：特長：・SOT26(SC74R)で最大1WのPD ・PWM入力を有効にするローサイド制御<25kHz（BCR421U）・負の温度係数(NTC)は、温度の上昇と...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

Dual Junction Pulsed VCSEL Diode

光源の小型化・ハイパワー化・ビーム品質の良好化を実現

■デュアルジャンクション(Dual Junction) VCSELは、Brightlaser社が独自開発したPCE>50％の非常に高い発振効率を持つVCSEL ■通常のVCSELに比べ、低閾値電流値、低電流駆動で早い応答性を持つ ■最大のメリットは高出力化で、これによりVCSELによるレンジファインディングが現実化してきた　※パッケージの小型化も容易になるため、車載での使用も今後期待されて...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オプトロンサイエンス

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

レーザ保護めがね『RS-80YG-EP』

安全で快適な作業のために！眼鏡あり・なしのどちらでも違和感なく着用でき…

■HE　＜主な対応レーザ：He-Ne、Krypton、He-Ne(ルビー)＞ ■HEV ＜主な対応レーザ：He-Ne、Krypton、He-Ne(ルビー)＞ ■SC3 ＜主な対応レーザ：Diode、Alexandrite＞ ■YG　＜主な対応レーザ：YAG(Diode)、ファイバーレーザ、YVO4、半導体＞ ■YG-EP＜主な対応レーザ：Nd-YAG、ファイバーレーザ、YVO4＞ ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社理研オプテック

Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

phase leg、Full bridge、Boost Chopper、Buck Chopper →T-type 3 level inberter、3 level NPC inverter、Diode full bridge ○パッケージ例 →62x108(D3)、62x108(SP6)、43x73(SP3F)、62x108(SP6P) →40x93(SP4)、40x93(SP1)、...

メーカー・取り扱い企業：リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社

SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイス…

H-SiC(Production, Research, Dummy) 6 インチ半絶縁型4H-SiC(Production, Research, Dummy) ＜SiC MOSFET/Diode> 650V 10A JBS Diodes 650V 4A JBS Diodes 1200V 10A JBS Diodes 1200V 80mOhm MOSFET 1200V ...

メーカー・取り扱い企業：武蔵野物産株式会社

【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定

SiC中積層欠陥の検出事例

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧くださ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【調査資料】FRD（高速回復ダイオード）チップの世界市場

FRD（高速回復ダイオード）チップの世界市場：逆回復時間：≤120ns…

本調査レポート（Global FRD (Fast Recovery Diode) Chip Market）は、FRD（高速回復ダイオード）チップのグローバル市場の現状と今後5年間の展望について調査・分析しました。世界のFRD（高速回復ダイオード）チップ市場概要、主要企業の...