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マニュアル操作により化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）を非…
◎特徴 １．４５０℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 ２．化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2～４ｉｎ ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/4ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/2ウエハ ...
メーカー・取り扱い企業： 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所
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