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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス(特許出願中)
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速(3000〜5000Å/min)かつ低ストレスの成膜が可能。(特許出願中) ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ...
メーカー・取り扱い企業: サムコ株式会社
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ドライエッチング装置 RIE-10NR(平行平板型RIE装置)
数百台の実績を誇る汎用性に優れたドライエッチング装置。
● 高い選択比と高精度のエッチングが可能。 ● PLCコントロールによる自動運転およびプロセスパラメータの保存が可能。 ● 試料はφ8インチまで対応可能。 ● 高速排気エッチングが可能。 ● コンパクト設計...RIE-10NRは、Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的としたリアクティブイオンエッチング装置です。本装...
メーカー・取り扱い企業: サムコ株式会社
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