• PN判定器 製品画像

    PN判定器

    シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます

    シリコンウェハー/ブロックのPN判定が瞬時に行えます。 非接触/非破壊にてP/N判定ができる持ち運びにも便利なペンタイプの判定器です。...PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にて P/Nタイプ判定いたします。 シリコン端材、スクラップを含むシリコンインゴット原料のPN判別用途に最適です。...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • 拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』 製品画像

    拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

    PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定!オプションにより表面抵抗測…

    当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • Junction Photo Voltage(JPV) 製品画像

    Junction Photo Voltage(JPV)

    JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、…

    JPV法(ジャンクション・フォト・ボルテッジ法)を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。 【特徴】 - 非接触、非破壊測定 - プローブの調整は不要 - 測定のための特別な試料準備は不必要 - 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能 - 空間分解能の高い分布測定(マッピング)が高速で可能 - 再現性の高い測定が可能 - セミラボ社のベンチトッププラ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

  • ライフタイム測定装置 製品画像

    ライフタイム測定装置

    u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケッ…

    オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)...ライフタイム測定装置 WT-2000は、u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります。 シリコン・ブロック/ウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 ※ シリコンウェハー/ブロック...

    メーカー・取り扱い企業: 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

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