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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
Si系半導体デバイスの作製ではイオン注入やアニール処理といった様々な処理が行われます。これらの処理前後における照射欠陥の度合いや結晶性の回復度合いを確認することは、製造プロセスを制御するにあたり重要と考えられます。低温下におけるフォトルミネッセン...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
MTJ(magnetic tunnel junction)構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.試料と...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【図表】 図1~図13 断面像、界面層の高分解能TEM像、電子回折パターン、原子分解能平面HAADF-STEM像・STEM像、結晶欠陥の原子分解能平面HAADF-STEM像 イオン注入後、アニール処理後分析結果、注入量、アニール処理温度の異なる試料のCL強度比較、キャリア濃度とdC/dV信号強度の関係...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌 202102-03 XAFSによる半導体中の状態評価
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
XAFS評価 5.おわりに 【図表】 図1 As K端XANESスペクトル 図2 As K端FT-EXAFSスペクトル 表1 As K端FT-EXAFSカーブフィッティング結果 図3 アニールありおよびアニールなしにおけるヒ素の状態および周囲構造のイメージ 図4 P K端XANESスペクト...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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マテリアルズインフォマティクスのためのハイスループット薄膜の作製と評価
2元& 3元コンビ成膜に対応 ■PCからのレシピ入力&自動成膜に対応 ■タッチパネルで簡単操作(自動排気、成膜プロセス) ■基板加熱可能(標準仕様:最高650℃) ■ロードロック室での高温アニール可能(オプション) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社コメット
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雰囲気制御下での前処理および深さ方向分析が可能です
p型・n型材料の活性層を使用するバルクへテロ接合型太陽電池では、膜内の材料の混合状態を適切に制御する必要があります。 成膜後アニール処理をすることで、開回路電圧の変化なくフィルファクターの向上に伴い光電変換効率の向上が見られた試料について、TOF-SIMS深さ方向分析を行いました。その結果、PEDOT:PSS層との界面において...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。その製造工程では、結晶欠陥の無い高品質なGaN結晶の作製が求められるため、イオン注入などによるダメージやその回復度合いの確認は重要な評価項目となっています。 本資料ではXAFSによってGaN基板へのイオン注入によるダメージを評価した事例をご紹介します。 GaN表面近傍における...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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