SiO2厚膜形成用プラズマCVD装置

厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）

● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ...

メーカー・取り扱い企業： サムコ株式会社