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SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で…
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)...
メーカー・取り扱い企業： 東芝ナノアナリシス株式会社
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