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41件 - メーカー・取り扱い企業
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PR低損失化、高耐圧化、小型化の面で優位性を持つ、GeO2半導体の製膜事業…
株式会社クオルテック(本社:大阪府堺市、以下「クオルテック」)は、 「滋賀県立テクノファクトリー」内に、新規半導体材料を使用した パワー半導体の製膜における研究開発拠点を開所しました。 開所式にはクオルテックが本研究開発に関して資本業務提携し、 「琵琶湖半導体構想(案)」を推進する立命館大学発ベンチャー、 Patentix株式会社(本社:滋賀県草津市)も出席し、開所式を行いました。 ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社クオルテック
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PR【新入社員の方必見】組み込みシステム向けのメモリICにの基礎知識に関す…
ウィンボンド・エレクトロニクスは、 台湾に本社を構えるメモリメーカーです。 ただいま、当社技術者が監修した、約70ページにわたる メモリICに関するホワイトペーパーを配布しています。 【掲載概要】 第1部 メモリの基礎知識 「用途や種類…メモリICの世界へようこそ」 第2部 DRAM 「基礎知識」、「外部インターフェース」、「DDR-SDRAMの種類」、 「低消費電...
メーカー・取り扱い企業: ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
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TOF-SIMSにより光学顕微鏡で見えないシミや洗浄残渣の分析が可能
一般的に汚れを落とすために、綿棒にエタノールをつけ拭き取ることがあります。エタノールをつけた綿棒でSiウエハ表面を拭いた際、表面に何が分布するのかTOF-SIMSを用いて分析を行いました。 エタノールをつけた綿棒で拭いたSiウエハには、光学顕微鏡でみられないシミが分布しており、綿棒に起因することがわか...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例
パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm~20mm程度の複数...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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複数手法の分析結果より、複合的に評価
製造装置や部品に付着した異物は、製造品の不良や装置動作の不具合などに影響する場合があります。 異物を適切に分析・評価することで発生原因を究明し、不具合を改善することができます。本資料では、Siウエハ表面に付着した汚染をICP-MSとSWA-GC/MS※で複合的に分析した事例をご紹介します。 ※SWA(シリコンウエハアナライザー)-GC/MSとは、ウエハごと電気炉で加熱して有機物をガス化し、...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ICP-MS:誘導結合プラズマ質量分析法
ICP-MSを用いたSiウエハ表面の金属汚染評価の目的には、Siウエハ自体の汚染評価以外にも、半導体装置内の汚染評価、Siウエハ暴露による作業環境場の評価などもあり、Siウエハ表面の分析は様々な目的で行われます。ICP-MS分...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価
試料搬送時の汚染及び酸化の影響についての知見は、検出深さがnmオーダーの表面分析において重要です。そこで、保管方法の違いによる汚染・酸化の影響をSiウエハにおいて検討致しました。 薬包紙・アルミホイル保管では、一般的に見られる二次汚染による有機物のピークは弱い傾向が見られます。試料保管・搬送時にアルミホイルのつや無し面で包んで保管すると、他の保管...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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加工無しで30nmサイズの組成分析が可能
板などの母材の情報を検出することが少ないため、異物など異常箇所のみの情報を前処理加工などを行わず簡便に調べることが可能です。また面分析を行うことで元素分布像を得ることができます。 本事例ではSiウエハ上に存在する異物について、AES分析を用いて評価したデータをご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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多点マッピング測定により膜厚分布を可視化
蛍光X線分析(XRF)では、元素分布や膜厚の簡便な評価が可能です。 本事例では、金属薄膜の評価事例として、4inchのSiウエハ上のAuの膜厚分布について多点マッピング測定をした事例をご紹介します。 多点マッピングを行うことで、各点のXRFスペクトルよりFP(Fundamental Parameter)法を用いてAu膜...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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エレクトロニクス製品の歩留に大きな影響を与える異物について、各種サンプ…
■多層膜中異物の特殊サンプリング技術 ・基板上金属膜に埋もれた異物 金属膜エッチング⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析 ・多層薄膜中の異物 表面層の切り取り⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析 ミクロトーム/FIB 薄片化⇒Siウエハに載せ替え⇒FT-IR分析...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留する金属濃度分布を調査するため、TOF-SIMSを用...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌 201909-01 シリカ表面のシラノール基の定量
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
重要な因子である。本稿では、精度および感度が高く、安定的にシラノール基を定量する手法を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.原理 3.シリカ粒子の反応性シラノール基の定量 4.シリコンウエハの表面シラノール基の定量 5.シラノール基量の加熱による変化 6.まとめ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社東レリサーチセンター
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ICP-MSによる高感度分析
Siウエハ上のSiN膜(Si3N4)を溶解した溶液中には、着目している不純物金属元素以外に膜由来のSiマトリックスが含まれています。そのため、溶解した溶液そのものでは精度よく高感度分析ができません。 そこ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です
密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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AFMによるステップ-テラス構造の可視化
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる応力の影響で、表面にステップ-テラス構造が形成されます。本資料ではAFMを用いて、Ga...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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手袋由来の汚染の評価
され、XPSで定量を行った付着物について、TOF-SIMSで分析を行いました。各工程で使用している標準試料の手袋と比較をしたところ、手袋A, Bと似た傾向が見られました。更に、標準試料の手袋をSiウエハに付着させて検証をしました。その結果、手袋Aに類似していることがわかりました。標準試料をSiウエハに付着させて検証することは有効な手段です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
シリコンウエハ上の自然酸化膜・シリコン酸窒化薄膜など厚さ数nm以下の極薄膜について、XPS分析によって膜厚を算出した事例をご紹介します。Siウエハ最表面のSi2pスペクトルを測定し、得られたスペクトルの波形解析...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【シロキサンフリー】半導体チップ搬送ケース『ゲルベースVタイプ』
半導体チップや精密デバイスなどを振動から守り 安全に保管・搬送…
株式会社エクシール 本社 -
プラズマ評価ツール『プラズマインジケータ PLAZMARK』
プラズマ処理効果の「見える化」を実現!プラズマインジケータ(T…
株式会社サクラクレパス PI事業部