【サンプル提供可能！】シリコンフォームシート「ハマガスフォーム」

PR広範囲での使用を可能にした、環境に配慮したシリコンフォームシート！

『ハマガスフォーム』は、液状シリコーンゴムの発泡体で 断熱、遮音、耐熱、難燃性において、優れた特性をもつシートです。 －40℃～180℃迄、短時間なら200℃まで物性に変化がないので安心 して使用できます。撥水性にも優れているため、グラスウール、 ウレタンフォームに比べ長期断熱性がよいです。 また、フロン、炭酸ガス等地球環境問題になるものは一切使用して おらず、万一燃焼してもハ...

メーカー・取り扱い企業： 浜松ガスケット株式会社

高耐熱シリコン両面粘着シート『TACSIL F20』

PRサンプルプレゼント！260℃までＯＫ！500回以上繰り返して使える高耐…

『TACSIL F20』は、リフロー工程で500回以上繰返し使用しても 均一な粘着力を維持する両面テープ。 対応温度範囲は－73℃～260℃で、安定性に優れているのが特長です。 特にFPCや薄い基板の実装工程で実績多数。 基板が動いたり、カールするのを抑制します。 サンプルを無料プレゼント中！ お問い合わせよりお気軽にお申込みください。 【特長】 ■粘着強度にバリエーシ...

メーカー・取り扱い企業： イーグローバレッジ株式会社 ＭＩ本部

レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。 【特徴】 ■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている ■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　ValleyView Atom Z3740 Soc

Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

【特徴】 ■23740は9層メタル、デュアル・ゲートダイエレクトリック、22nm Socプロセスで製造されている ■デバイス：最小90nmピッチのHKMG FinFETトランジスタ ■シリコン拡散層部分：NMOSトランジスタに使われ、SiGeがPMOSトランジスタに使われる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

m ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストー...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

レポート　MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

20 nm HKMG Qualcomm Gobiの詳細構造解析です。

MDM9235 は、10 層のメタライゼーション(9-Cu、1-Al) を使用して TSMC により製造され、20 nm ノード、high-k メタルゲート (HKMG) トランジスターがバルクシリコン基板上にゲート長プロセスで製造されています。 90 nm の最小コンタクテッドゲートピッチが特長です。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づ...

メーカー・取り扱い企業： テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）