MEMS Trench SOI　ウエハー（誘電体分離技術）

高品質結晶のシリコン層！MEMS技術で従来のジャンクション隔離法と比較…

アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポーネンツを 分離するなどといった誘電体分離技術を提供します。 隔離には厚い膜のSOIと高いアスペクト比の深いトレンチエッチ および酸化膜とポリの埋め込み構造を使います。 この技術には100-150mmのウエハーサイズ、デバイスレイヤーは 1.5-100umの厚みに適用可能です。 【特長】 ■埋め込み層をなくす ■高品質結晶のシ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

TSV ウエハーSolutions（内部導通ソリューション）

CMOSなどの基盤に好適！ウエハーは1200℃の拡散工程にさらされても…

アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフルにウエハー内部 導通技術を開発いたしました。 それらはICやMEMSといったデザインによるパッケージ問題等を 解決する手段です。 この内部導通ソリューションにより、デザインをしやすくし、 ソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージを 容易にする解決法となります。 【特長】 ■CMOSなどの基盤に好適 ■内部導通...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社