【分析事例】SiGe中不純物の高精度定量評価

SIMS：二次イオン質量分析法

ます。 ●Ge濃度に応じた適切な定量補正を行わないと不純物定量値は本来の値に比べて50%以上異なることがある。定量評価を行うためには各組成に応じた標準試料が必要。 ●SiとSiGeではスパッタリングレートが異なる事が知られている。組成が深さごとに異なる試料においては、深さごとにスパッタリングレートが変化する。 MSTでは、標準試料の整備により高精度な組成分析が可能です。また、検量線...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［IP法］Arイオン研磨加工

IP法は、研磨法の一種でイオンビームを用いて加工する方法です

IP法は、エネルギー及び方向を揃えたイオンビームを試料に照射したときに試料表面から試料原子が弾き飛ばされるスパッタリング現象を利用して、試料表面を削り取る方法です。 イオン種は通常試料との化学反応の心配のない希ガス（MSTではAr）が用いられます。加工面のAES分析では遮光板成分（Ni,P）は検出下限以下でし...

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［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

■微細イオンビームによる試料加工 Gaイオンを試料表面に照射すると、Gaと共に試料表面を構成している原子や分子が真空中にはじき出されます。このスパッタリング現象を応用したエッチングにより、サブミクロンの精度で平滑な断面を作製したり、穴を開けたりすることができます。 ■原料ガス供給による立体構造形成 原料ガスを試料表面に吹き付けて吸着させ、...

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【分析事例】高分子フィルムの多層構造の解析

GCIBを用いた低ダメージスパッタリングで多層フィルムの層構造を明瞭に…

フィルムの機能性は素材・厚み・層構造等で決まることが知られています。 今回は食品用ラップフィルムとして一般的に用いられるポリエチレン系多層フィルムの層構造を評価しました。 FT-IRで主にポリエチレンで構成されていることを確認したフィルムに対し、GCIB（Arクラスター）をスパッタに用い、TOF-SIMSで深さ方向に測定することで、10μmの厚みの中でポリエチレンとナイロン6とが積層されてい...

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［SIMS］二次イオン質量分析法

二次イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含ま…

酸素やセシウムなどのイオン(一次イオン)を試料表面に照射すると試料表面近傍の原子は攪拌され、一部が真空中に飛び出してきます（スパッタリング）。 飛び出してきた粒子のうちイオン(二次イオン)を質量分析することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行います。...

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【分析事例】ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価

波形解析・Arスパッタによる結合状態の深さ方向分布評価

XPSでは酸化成分（酸素と結合している成分）・金属成分（金属と結合している成分）などの結合状態の評価が可能です。また、アルゴンイオンスパッタリングを併用することにより、深さ方向の結合状態の評価も可能です。 ※ ステンレス表面の不動態皮膜（厚さ数十nm～数百nm程度）について、上記測定を行った結果、（1）表面側にFe酸化成分が多い、（2...

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