• 半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D 製品画像

    半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D

    PR新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

    <主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーテ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 【交換・取り付け・取り外し】高品質なBGAリワーク 製品画像

    【交換・取り付け・取り外し】高品質なBGAリワーク

    PRBGA交換・取り付け・取り外し各種対応可能!喜びの声をいただいておりま…

    『BGAリワーク』とは、完成基板上のBGAデバイスを専用のリワーク機にて 部分加熱を行い、目的に合わせて行う作業の事です。 ケイ・オールでは、共晶はもちろん、鉛フリーにも対応でき、 数多くのお客様から喜びの声をいただいております。 お客様のご要望や、基板の状態・症状に合わせた作業が可能です。 【特長】 ■基板・取り外しデバイスに対する安定したクリーニング作業 ■クリームは...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ケイ・オール

  • パワートランジスタ『CGD65B240SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

    H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載!無負荷状態でのデバ…

    材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 当製品はICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバー とコントローラーチップが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0Aeモード...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

    無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる!高電流、高耐圧を実現

    す。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B130SH2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

    事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能!

    独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワ...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A130S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A130S2』

    互換性を実現するICeGaNゲート技術!ゲートドライバーとコントローラ…

    0S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65B200S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65B200S2』

    幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現!

    『CGD65B200S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • パワートランジスタ『CGD65A055S2』 製品画像

    パワートランジスタ『CGD65A055S2』

    簡単設計、高信頼性!センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

    『CGD65A055S2』は、エンハンスメント モードのGaNオンシリコン パワートランジスタです。 幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

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