5G・IoT向け各種高周波製品

PR【ワイヤレスジャパン2024に出展します！】5G、 IoT、スマートフ…

アスニクス株式会社は、高周波製品および関連部品に特化した商社です。 今年5月に、アンテナ専門大手メーカーGLEAD社、アイソレータ及びサーキュレータの専門メーカーJQL社、SAWデバイスや水晶デバイスを製造するTAISAW社と共同で「ワイヤレスジャパン2024」に出展します。 今回の展示会では、5G、IoT向けの製品を幅広く展示します。 ご来場の際は、是非当社ブースへお立ち寄りください。 【ワ...

メーカー・取り扱い企業： アスニクス株式会社

インパルスノイズ試験器 INS-S100

PR電源ラインからの侵入や通信線などへの誘導ノイズによる電子機器の性能評価…

インパルスノイズ試験器はスイッチングデバイスの接点間の放電、電子モーターから発生するアーク放電などによる立ち上がりの早い高周波ノイズを模擬的に発生させ、電子機器の耐性を評価する試験器です。 インパルスノイズ試験器INS-S100は、50Vからのパルス出力が可能で、製品開発時の回路基板や弱電部品などのノイズ耐性評価が手軽に行えるほか、市場での不具合発生時の解析などにも活用できます。 ○ ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノイズ研究所（NoiseKen）

【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析

GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案

GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異的な挙動・特性を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線C...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

グでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

　・in situ X線CT測定 ■分析事例 　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析 　・発泡ウレタン内部の空隙率評価 　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定 　・電子デバイス内特異箇所の複合解析 　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定およ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。 市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパン...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板につい...

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【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があ...

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【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。 SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体18Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。18Oを局所的に注入した素子に対し、電場印加により動作領域となるブリッジ構造を形成し、元素マッピングを行った結果、ブリッジ部では18Oの強度が弱く、局所的に還元されていることが分か...

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【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

す。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。 キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。 一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。 本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。 分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。 測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

gh Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。 測定法：TEM・EEL...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。 放射光を用いたXAFS測定では試料表面...

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【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。 本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観...

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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線...

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第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析

点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解...

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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析

SEM像の3D化でリークパスを確認

観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉えることが可能です。SEM画像を3D化することでリークパスを確認することができます。 測定法：Slice＆View・EMS 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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［(S)TEM］（走査）透過電子顕微鏡法

ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得

■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能 ・ＦＩＢで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能 ・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所 ・試料を薄片化する必要がある（一部の試料において薄片...

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ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

EMSは、半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。EMMS、PEM、EMIとも呼ばれます。 ・測定波長領域（可視域から近赤外域）に対して透明な材料のみ評...

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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価

XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能

種酸化膜・窒化膜の評価に対して有効です。 本資料では窒化シリコン（SiN）膜のバンドギャップ評価事例をご紹介します。 測定法：XAFS・XPS 製品分野：太陽電池・照明・酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：電子状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレンチ間・内部の不純物分布評価などに適用できます。 測定法：SIMS・SCM・SNDM 製品分野：太陽電池 分析目的：微量濃度評価・組成分布評価・形状評価 詳...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

今回は疑似的に試料を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法：恒温恒湿試験,はんだ濡れ性試験 製品分野：パワーデバイス,LSI・メモリ,電子部品 分析目的：劣化調査・信頼性評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】試料濃縮針による揮発性成分の濃縮分析

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

試料濃縮針はバイアル瓶やサンプリングバッグ中の揮発性成分を吸引して、針内部を通過する揮発性成分を吸着媒体に吸着させることで濃縮し、GC/MSに導入するためのデバイスです。「有機溶媒用」や「脂肪酸用」、「アミン用」などの吸着媒体があり、着目成分によって使い分けます。揮発性成分の分析に用いられるヘッドスペース法では感度を得るために加熱して分析することが一般的です...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST