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16件 - メーカー・取り扱い企業
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PR厳しい気密・絶縁性が求められる用途に好適！試作から量産まで幅広くサポー…
『各種多芯型ハーメチックシール』は、金属とガラスで製作する 気密・絶縁性に優れたターミナル（端子）です。 気密性は1×10－9Pa・m3/s以下、 絶縁抵抗はDC500Vで1000MΩ以上に対応！ 封着・ロウ付け・鍍金加工・溶接加工のほか、 試作から量産まで用途や目的に合わせた製作が行えるのも特長です。 ◎詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。.....
メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジ電科
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SiCパワートランジスタリーク箇所のSlice&view故障解析
SEM像の3D化でリークパスを確認
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについて、Slice＆Viewによる断面SEM観察を行いました。Slice＆Viewでは、リーク箇所周辺から数十nmオーダーのピッチで断面観察を行うことにより、リーク箇所を逃さず画像として捉える...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可…
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice＆Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。 本資料で...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
市販パワートランジスタ(DMOSFET) について、ポリSi ゲートとn型ソース層およびp型ボディ層の形状・位置関係を調べました。 AFM像と重ねることでゲートとの位置関係も知ることができます。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能
市販LSI内のNPNバイポーラトランジスタについて全景からエミッタ部の拡大まで詳細に観察が可能です。 エミッタ電極の中心を通る断面を露出させ、AFM観察、SCM測定を行った事例です。 AFM像と重ねることで、配線との位置関係がはっき...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！
SiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物理的メカニズムを特定するための解析評価 ■破壊までの臨界温度および破壊エネルギーが抽出される ■破壊モードとの物解析を行う ■INFINEONと他社の1200V...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック
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高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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海外製部品・製品の中には品質上問題のあるものも含まれています。これらに…
■海外製部品評価例 ・部品調達・選定段階での信頼性評価 ・部品・製品メーカー間比較評価 ・現行部品⇒変更部品（コスト削減）の置き換え時の信頼性評価 ■対応部品の例 ・能動部品（トランジスタ、ダイオード、サイリスタ、等） ・受動部品（コンデンサ、抵抗、等） ・LCD ・基板 ・電源 等...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈
非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…
■分析事例 ・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析 ・発泡ウレタン内部の空隙率評価 ・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定 ・電子デバイス内特異箇所の複合解析 ・トランジスタ内部の状態評価 など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 “カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウンロードいただけるPDF資料は目次部分のみとな...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 １）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析
シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイム...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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試料断面における応力分布を確認することが可能です
のピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察
TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のMPUトランジスタ部の高分解能(HR)-TEM観察とEDX元素分布分析を行ったデータを紹介します。3次元的な構造を持つFinFETのような微細な多層構造でも、Csコレクタ付TEMを用いることで素子の構造や元素分布...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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デバイス内部の異常を非破壊で評価します
外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。 その結果、ワイヤーの断線が確認された他、断線時の熱などの影響で断線したワイヤーの周囲のモールド樹脂が変性していることも分かりました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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