FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。
半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される
エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：
クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
基本情報クロスビームFIBによる断面観察
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。
１）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。
３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
| 価格情報 | 内容により都度御見積致します。 |
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※内容により異なります（特急対応あり） |
| 用途／実績例 | 半導体デバイス、MEMS、TFTの構造解析 故障解析における不良箇所のピンポイント観察 |
カタログクロスビームFIBによる断面観察
取扱企業クロスビームFIBによる断面観察
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