SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（…

SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

PR小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 ＊直径: 100-200 mm ＊Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous ＊Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm ＊Epi厚: 1-150 um ＊Stacking fault: 10 /cm2 以下 ＊Thickness Uniformity: ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

カード製造装置　【シート丁合装置】

別工程にて処理を施したシートを、未処理シート(最大4層)と超音波溶接機…

処理を施したシートの画像・品質検査を行ない、NG部にパンチをし、処理します。 ◇タクトタイム　36sec/シート(100シート/時間)　＊1シートに18処理済み ◇NGパンチ位置、NGパンチサイズの設定可能 ◇超音波溶接機で丁合。溶着時間は0.8sec/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ライズワン