ホッパーの粉詰まりを解消｜エアレーションホッパー

PRラットホール・ブリッジなど粉体の詰まりを解消し、スムーズな排出を促すア…

【粉を液体のように動かしてスムーズに排出　工数や原料ロスの削減に】 エアーを接続して使用します。 ホッパー内部にエアーが流れ込み、粉体を流動化させることで排出を促します。 【クロスコンタミネーションを防ぐ洗浄性にすぐれた構造】 内槽ホッパーには微細な穴が開いており、そこからエアーを取り込みます。 穴の内部はストレートに近い構造で、粗さの異なるメッシュを複数重ねた場合に比べ、粉が入り込...

メーカー・取り扱い企業： MONOVATE(旧：日東金属工業)株式会社 八潮工場

ウェーブスプリング（波ばね）／リテーニングリング（止め輪）

PR省スペース・軽量化に貢献！豊富なカタログサイズと金型不要な自由設計！カ…

スモーリー「ウェーブスプリング／リテーニングリング」は、独自のエッジワインディング加工で製造し、優れた強度・寸法安定性を実現。 【本製品が選ばれるポイント】 ＜ウェーブスプリング（波ばね）＞ ■コイルばね比約50%の自由長削減。製品の小型化・軽量化が可能 ■コイルばねと同等の力及びたわみ ■直径やコイルの巻き数を柔軟に設計可能 ■豊富なカタログサイズ ＜リテーニングリング（止...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社木村洋行

NexFETパワー・ブロック『CSD88584Q5DC』

40VハーフブリッジNexFET(TM) パワー・ブロック『CSD88…

イスは、TIの特許取得済みの積層ダイ・テクノロジを活用し、 寄生インダクタンスを最小化するとともに、省スペースで放熱特性の優れた DualCool 5mm×6mmパッケージ内で完全なハーフ・ブリッジを構成し ています。 このパワー・ブロック・デバイスは金属の上面が露出しており、パッケージの上面から 熱を引き出し、基板から逃がすための簡単なヒート・シンクとして機能するため、 多くの...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『DRV8885』

センス・レジスタ内蔵1.5Aステッパ・モーター・ドライバ 『DRV88…

『DRV8885』は、2つのNチャネル・パワーMOSFET Hブリッジ・ドライバ、マイクロステッピング・インデクサを搭載。 最大1.5A（フルスケール）あるいは、最大1.0Aのrms出力電流を供給できます（24VおよびTA= 25℃の場合。放熱のため適切な ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『LMG5200』

完全集積型80V GaNハーフ・ブリッジ電源モジュール『LMG5200…

『LMG5200』デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを 加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する 統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。 このデバイスは2つの80V GaN F...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『DRV8320R』

降圧レギュレータ搭載60V、3相スマート・ゲート・ドライバ 『DRV8…

『DRV8320R』は、3つのハーフブリッジ・ゲート・ドライバを備え、それぞれハイサイドとローサイドの Nチャネル・パワーMOSFETを駆動可能。 ハイサイドMOSFET用に内蔵チャージ・ポンプを、ローサイドMOSFET用にリニア・...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『DRV8880』

STEP/DIRインターフェイス付き2Aステッパ・モーター・ドライバ …

『DRV8880』は、2つのNチャネル・パワーMOSFET Hブリッジ・ドライバ、マイクロステッピング・インデクサを搭載。 最大2.0A（フルスケール）あるいは、最大1.4Aのrms出力電流を供給できます（24VおよびTA= 25℃の場合。放熱のため適切な ...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社