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  • 『ビジネス改善支援』 製品画像

    『ビジネス改善支援』

    PR製品開発の期間短縮、意思決定の迅速化を実現。製品の企画・開発プロセスを…

    当社は、製品の企画・開発プロセスを最適化し、 業務の効率化などを実現する『ビジネス改善支援』を行っています。 より良い製品開発に必要な顧客要望の集約や管理、 企画から開発に至るプロジェクトの透明性の向上などを実現し、 製品開発の期間短縮や、意思決定の迅速化を支援します。 Atlassian TEAM TOUR Tokyo は、チームワークのイノベーションについて語り合う、年に一度...

    メーカー・取り扱い企業： INNOOV（イノーブ）株式会社 東京

  • 独自技術を採用したガラス加工用レーザー装置 製品画像

    独自技術を採用したガラス加工用レーザー装置

    PR高速かつ正確なガラス微細加工が可能。加工時の応力を抑えて、マイクロクラ…

    『LPKF Vitrion M 5000 Gen2』は、独自に開発した「LIDEプロセス」を採用し、±5μm以下の高精度でガラス微細加工が可能なレーザーシステムです。 加工時の応力を最小限に抑え、チッピングやマイクロクラックの発生を防止。 アドバンストパッケージングで標準使用される150×150mmから 510×515mmまでの大型パネルに対応し、基板のサイズや 形状に合わせて柔軟に対...

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    メーカー・取り扱い企業： LPKF Laser&Electronics株式会社

  • パワーデバイス（SiC）をチップ化 製品画像

    パワーデバイス（SiC）をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化 製品画像

    高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

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