ICカードリーダー『IC SCAN』

PRFeliCa/Mifare対応！ICカードの読み取りが簡単にできます

『IC SCAN』は、多機能で簡単操作のIC読み取り専用システムです。 DES/AES鍵ありデータエリアの読み取りも可能。 FeliCaサービスの読み取り制限がないほか、 Excelなどにキーボード出力可能など多機能です。 また、SIP独自開発ソフトのため、多種カスタマイズの開発も 受け付けます。(有償) 【特長】 ■IDm、UIDの読み取りができる ■読み取ったデータ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社システムズ・インテリジェンス・プロダクツ（SIP）

DAコンバータユニット（USB接続）『TUSB-0416DAM』

PR分解能16ビット、変換レート1MHz USBインターフェース付きDAコ…

本ユニットは、分解能16bit、変換レート1MHzの高性能DAコンバータユニット（USB接続）です。 アナログ出力はBNCコネクタ４チャンネルで、高分解能の直流電圧出力の他、FIFO方式メモリとUSBインターフェースとの組み合わせで、制限なく連続的に波形出力が可能です。 可変基準電圧源の他、ファンクションジェネレータ、任意波形発生器などとしても使用できます。...出力チャンネル数：4ch（2ch*...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社タートル工業

【分析事例】酸化物ReRAM動作領域の元素分布評価

酸化物デバイスにおける局所元素分布を酸素同位体を用いて高感度に評価

酸化物ReRAMでは、電場印加に伴う酸素拡散がメモリ動作（抵抗変化）と関連しているとされていました。 SIMS分析では同位体を測定可能であるため、同位体18Oイオン注入技術を利用すれば、酸素拡散の追跡が可能となります。18Oを局所的に注入した素子...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

【受託サービス分析対象】 ◎LSI・メモリ　◎パワーデバイス　◎光デバイス ◎電子部品　◎太陽電池　◎二次電池 ◎燃料電池　◎照明　◎ディスプレイ ◎製造装置・部品　◎酸化物半導体 ◎バイオテクノロジ　◎医薬品　◎化粧品 ◎日用...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】AI技術を用いたCT画像のアーチファクト低減

AI技術でCT画像のメタルアーチファクトを低減し画像解析精度を向上！

をご紹介します。 本技術によりアーチファクトを低減することができ、より鮮明な内部構造評価が可能です。 測定法：X線CT、計算科学・データ解析 製品分野：電子部品、製造装置・部品、LSI・メモリ、日用品 分析目的：形状評価、構造評価 【特長】 ■メタルアーチファクトによって遮られた構造を鮮明に観察可能 ■樹脂と金属の両方をCT観察する場合に有用 詳しくは資料をダウンロー...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。本資料では4H-SiCエピ基板のキャリアライフタイム評価の事例を紹介します。 測定法：蛍光寿命測定 製品分野：パワーデバイス、LSI・メモリ、電子部品 分析目的：故障解析・不良解析、製品調査、キャリアライフタイム、プロセス評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価

TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価

の取得が可能であることがわかりました。 これらの分子イオンを用いて、金属Cu表面自然酸化膜の深さ方向の状態評価が可能となりました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：ディスプレイ・LSI・メモリ・電子部品 分析目的：化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】めっき・塗装等の剥離原因調査

TOFーSIMSによる剥離面の汚染源の特定

ン化した二次イオンを検出し、剥離面に存在した成分が何由来なのかの情報を得ることができるため、剥離原因、及び工程の調査に有効です。 測定法：TOF-SIMS・ピーリング・解体 製品分野：LSI・メモリ・製造装置・部品 分析目的：化学結合状態評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

TEM_SEMによる有機EL_OLED_ゲート酸化膜の断面観察

低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます

・Low-k膜・ゲート酸化膜・TEOS膜・BPSG膜などに適用できます。 1) TEM専用機に比べて加速電圧が低いSEM装置によるSTEM観察 測定法：TEM・SEM 製品分野：LSI・メモリ・ディスプレイ・太陽電池・照明 分析目的：形状評価・膜厚評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】微小ビアのイメージ分析

微小領域の分布評価が可能です

設けられた0.5μmφ程度のビアに、Cuを充填したサンプルを分析した事例を示します。正イオン分析結果より、CuおよびSiの分布が確認できました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成分布評価・故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価

微小領域のXRD測定が可能

検出されました。XRFによる測定結果とよく一致しています。 このように組成や結晶性の異なる数百μmの領域を狙って結晶構造を同定することが可能です。 測定法：XRD・XRF 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うことで、SiO2膜中の不純物について定性・定量分析を行うことが可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験_C0699

劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。

を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法：恒温恒湿試験,はんだ濡れ性試験 製品分野：パワーデバイス,LSI・メモリ,電子部品 分析目的：劣化調査・信頼性評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察

Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察

チウムSrTiO3の原子カラムを観察した事例をご紹介します。EDX元素分布分析を組み合わせることで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができます。 測定法：TEM・EDX 製品分野：LSI・メモリ 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

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【分析事例】CFRP炭素繊維強化プラスチック内部の繊維配向解析

X線CTによるCFRPの解析事例

CTを用いて観察しました。その結果、直径約7μmの炭素繊維の集まりを観察することができ、また繊維の配向性解析を行いました。 測定法：C-SAM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス・LSI・メモリ 分析目的：形状評価・故障解析・不良解析・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

る継続した調査により、再現性が得られていることを確認しました。 TOF-SIMSは酸化物や金属など無機物の深さ方向分析が可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：ディスプレイ・LSI・メモリ・電子部品 分析目的：化学結合状態評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。 自然酸化膜と酸化膜の結果をまとめます。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ 分析目的：化学結合状態評価・組成分布評価・腐食層の膜厚 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】最表面シラノール基の評価

TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です

を行うにあたり、濃度の異なる数種類のサンプルを用いて検量線を作成しました。測定例では、材質・状態の異なるサンプル表面のシラノール基を比較しました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST