事例 | イプロスものづくり

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「紙」の梱包資材のメリットとは？『紙製包装材事例集』で解説！

PR【※事例集進呈中】「脱プラ」「CO2排出量の削減」「2024年問題」な…

当資料は、当社がもつ紙管製造のノウハウを生かした『紙製包装材事例集』です。木パレットよりも軽量で作業者の負荷が減る「紙管を使った紙パレット」をはじめ、オリジナル部材を組み合わせた「フィルムロール用梱包」など、豊富な採用事例をご提供します。「木枠」や「木箱」からの切替事例も多数！主に使用する材料の紙管原紙は段ボール原紙と比べ薄く、強度があり耐湿性にも優れています。お客様の...

メーカー・取り扱い企業：株式会社昭和丸筒
煩雑な紙業務から脱却！依頼部門と購買部門の双方で内部統制を強化

PR【DX化に貢献】年間約4000時間の時短効果を試算！ペーパーレス化で購…

こんなお悩みはありませんか？「事業所で購買業務がばらばら」「購買実績の確認が大変」「内部統制を強化したい」「下請対応を強化したい」日立ソリューションズ西日本が取り扱う『Hi-PerBT 購買管理』は、質を上げてコストダウン、全社集中購買で戦略調達をサポートするシステムです。購買業務に必要な機能を標準実装しており、AWSを利用したクラウド型でのシステム構築もできます。 ★ペーパーレ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社日立ソリューションズ西日本
【分析事例】リチウムイオン二次電池内部の非破壊観察

X線CTによる観察事例

む現象が発生することがあります。この現象が発生した電池を調査する場合、内部に溜まったガスや電解液等による反応が懸念され、加工には危険を伴うことから非破壊で内部の構造を確認する必要があります。本事例では充放電を繰り返したリチウムイオン二次電池の内部をX線CTを用いて観察しました。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】二次電池正極活物質の構造評価

活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能

た。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行い、軽元素（Li,O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni,Co,Mn）の原子位置をHAADF-STEM像で可視化した事例を紹介いたします。測定法：SEM・EBSD・TEM 製品分野：二次電池分析目的：形状評価、構造評価、製品調査詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】TDSによるグラフェンの脱ガス分析

炭素材料中の官能基や不純物などに起因する脱ガスについて評価可能です

、カーボンナノチューブへの水素貯蔵など、炭素材料は真空中での用途が増えてきています。そのため真空中での炭素材料からの脱ガスを評価することは、今後の炭素材料の応用の上で重要なポイントとなります。本事例では真空中において試料からの脱ガスが評価できるTDS（昇温脱離ガス分析法）でグラフェンからの脱ガス分析を実施した事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

ppmオーダーの微量金属も評価可能です

って評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセラミックス材料に微量含まれるCeの価数を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的か...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】CMOSセンサの総合評価

スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】スマートフォン用保護フィルムのAFM分析

感覚的な製品の出来映えを定量評価可能

れに併せて表面に貼る保護フィルムも機能が多様化しています。今回、指紋防止及び反射防止機能を持つ2種(A,B)のフィルムについて、AFM分析により、手触りのような感覚を粗さという観点で定量評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索しました。続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて詳細な構造を確認しました。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

正確な理解に役立ちます。本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します。 ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキャリア濃度分布を評価した事例をご紹介します。　...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】溶液中の金属量調査

純水やウエハ洗浄液等、様々な溶液の高感度分析が可能です

、溶液の種類も純水・酸・アルカリ等、各種対応でき、分析する金属元素の濃度領域はpptオーダーから主成分レベルまで幅広く対応することが可能です。本資料では市販されている各溶液に含まれる金属量を調査した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】有機EL(OLED)発光層の解析

発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能

有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染（分子状汚染）を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】真空中での有機成分の脱離評価

複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です

TDS（昇温脱離ガス分析法）は真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS（ガスクロマトグラフィー質量分析法）とTDSの結果を組み合わせて解析することで、真空中において、特定の脱離成分の脱離温度について評価が可能です。以下にグラフェンについてTDSとGC/MSの複合解析を実施した例をご紹介します。...詳しいデータはカ...

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【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】AFMデータ集

AFM :原子間力顕微鏡法

AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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分子動力学計算によるカーボンナノチューブ曲げ変形シミュレーション

ナノ材料に外力を加えた時の形状変化、歪みエネルギーの評価が可能

ています。一方で、形状変化に伴う物性の変化も知られており、外力に対する変形や歪みの評価が求められています。本資料では、分子動力学計算を用いて単層カーボンナノチューブの曲げ変形シミュレーションを行った事例を紹介します。シミュレーションを行うことで、実測からは評価が難しい原子レベルでの形状変化の観察や歪みエネルギーの算出が可能です。...
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...
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【資料】リチウムイオン二次電池電解液成分の分布シミュレーション

電解液界面近傍の模式図や電解液中の溶媒和構造などを図を用いて詳しく掲載…

当資料では、有効遮蔽媒質法とReference Interaction Site ModelをハイブリッドさせたESM-RISM法を用いて、電解液成分のミクロな分布をシミュレーションによって評価した事例をご紹介。当手法は二次電池だけでなく、燃料電池、各種触媒反応や金属表面の腐食・防食など広範な分野での応用が期待されます。【掲載内容】 ■概要 ■データ・負極（グラファイト...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【資料】二次電池負極SEI被膜の元素分布評価・化学状態評価

負極の断面構造・表面形状、活物質断面の元素マッピング像など複合的にアプ…

・化学結合状態の制御が求められています。当資料では、車載用電池の炭素系の負極活物質表面に形成されたSEI被膜を SEM,TEM,TEM-EELS,TOF-SIMS,XPSにより評価した事例を紹介しています。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】グラフェンの官能基の評価

熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能

センサー等、幅広い分野への応用が期待されています。また製法によって表面に存在する官能基の種類や量が異なると言われており、その構造を明らかにすることは性能向上を図る上で重要なポイントとなります。本事例では熱分解GC/MS法により、2種のグラフェンの官能基を比較した事例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SNDM分析を行った事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】STEM・EDXデータと像シミュレーションによる評価

STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます

評価が可能です。本資料では、多結晶体であるネオジム磁石において、HAADF-STEMとEDXの測定によって得られた結果と、各々の測定条件を用いたシミュレーション像の比較から結晶構造の考察を行った事例を紹介します。測定結果と計算シミュレーション結果の併用により、結晶構造に対する理解を深めることが可能となります...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価

高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能

が知られています。高分解能なXPSスペクトルではc(単結晶)-Siとa(アモルファス)-Siが異なったピーク形状で検出されることを利用して、この損傷由来のa-Siをc-Siと分離して定量評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SEMとSIMによるCu表面の二次電子像の比較

着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です

次プローブの違いによってコントラストの現れ方や空間分解能などの違いがあり、着目する表面構造によって2手法の使い分けが有効です。本資料では2手法の比較をまとめるとともに、測定例としてCu表面を観察した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】FT-IRによる樹脂の硬化反応評価

官能基の変化を捉えることで樹脂の硬化度を評価することが可能です

電子部品の絶縁体、コーティング剤、接着剤として利用されています。FT-IR分析は、樹脂の硬化度等の不良原因を調査することが可能で、製品開発に有効です。一例として、エポキシ樹脂の硬化度を評価した事例をご紹介します。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】トランジスタ内部の状態評価

デバイス内部の異常を非破壊で評価します

外観検査では分からないデバイス等の故障原因を調査するために、X線CTをはじめとする非破壊による評価が必要となる場合があります。 X線CTを用いて不具合のあったトランジスタを測定し、内部の状態を確認しました。その結果、ワイヤーの断線が確認された他、断線時の熱などの影響で断線したワイヤーの周囲のモールド樹脂が変性していることも分かりました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST