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【参加無料】『船舶サイバーセキュリティ』オンラインセミナー開催!
PR海上ネットワークにおけるサイバー攻撃のリスクが気になる担当者の方必見!…
【このようなことにお困りのご担当者様はいらっしゃいませんか】 ・船舶内外のネットワーク設計を検討する担当者様 ・海事業界などを含む規格準拠・認証製品でのネットワーク構築を検討する担当者様 ・サイバーセキュリティについて知識を増やしたい担当者様 今回のセミナーでは、信頼性の高いネットワークと誠実なサービスによって産業界の安全な通信インフラを実現し、ビジネスに永続的な付加価値を提供するMo...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ケーメックスONE
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PR小型で取り回しが簡単。安価で産業用途として24V対応、インチング操作に…
KST2.4WおよびKSR2.4/KSR2.4RYはお客様からの要望から生まれた無線リモコンです。 当社のお客様は産業用途で使用されることが比較的多く、産業用途向けにお使い頂けるよう防水・堅牢性を高め、さらに手で持ちやすい大きさかつ通信の信頼性を確保するハミング距離6に対応。押したボタンに応じてブザーが鳴動。LEDにてリンク状態の確認が可能。 同じエリアで複数システムが使えるよう当社独自の周波数ホ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社サーキットデザイン 営業部
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劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。
半導体を多く使う電子機器では各部品をはんだ付けにより実装しています。このはんだ接合部に不良が生じると電子機器に不具合が生じます。その為はんだに関して濡れ性を評価することは部品の信頼性を評価するうえで重要です。今回は疑似的に試料を劣化させ、はんだの濡れ性がどうなるかを検証しました。恒温恒湿試験後、電極表面の濡れ性が変化することが分かりました。 測定法:恒温恒湿試験,はんだ濡れ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます
ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能
され、そこからリークが起きていることが示唆されました。 測定法:X線CT 製品分野:製造装置・部品、高分子材料、日用品 分析目的:形状評価、膜厚評価、構造評価、故障解析・不良解析、劣化調査・信頼性評価、製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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酸化の影響を受けない条件でTOF-SIMSによる質量分析が可能です
を示します。 MSTでは雰囲気制御により、大気酸化の影響を受けずに錯体の評価が可能です。 測定法:TOF-SIMS 製品分野:バイオテクノロジ・医薬品・化粧品・日用品 分析目的:劣化調査・信頼性評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM(走査型顕微鏡...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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GC/TOFMSにより液晶ディスプレイ中液晶分子の構造推定が可能です。
液晶パネルの応答速度、駆動電圧、コントラストの信頼性特性は、液晶分子構造などに起因します。そのため、分子構造の詳細を解析することは、液晶パネルの表示特性を制御するのに不可欠です。ここでは、市販品のパネル中の液体成分を抽出し、GC/TOFMSで構造推...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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加熱劣化後のサンプルをLC/MS/MS,TOF-SIMS,TEM+ED…
リチウムイオン二次電池の開発には、高性能化・長寿命化・信頼性向上などの課題があります。これらの課題を解決するためには、電池の劣化機構の解明が重要です。今回は、温度による劣化機構についての評価のために、加熱劣化試験を行いました。加熱劣化試験後、大幅な容量低下...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】リチウムイオン二次電池バインダの成分分析|受託分析
熱分解GC/MSによる有機成分の同定
リチウムイオン二次電池は、金属、無機から有機物質、固体から液体と多種多様な材料が使用されています。各材料の物性や組合せはデバイスの特性・信頼性に大きく反映されますので、材料の正確な解析・評価が必要となります。今回、リチウムイオン二次電池の負極を熱分解GC/MS(pyro-GC/MS)で測定した結果、本バインダ材料はSBR(スチレンブタジ...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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1画素ごと、各層ごとに成分を同定することが可能です
今後需要が拡大する有機ELの信頼性向上のため、詳細な構造解析や状態分析、劣化原因の特定がさらに重要となります。TOF-SIMSとLC/MSを用い、層構造や材料を評価した事例をご紹介します。 TOF-SIMSにより、層構造と各層の...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Slice and Viewによる充填度・ボイドの観察
リチウムイオン二次電池の電極は、正極・負極ともに活物質・導電助剤・バインダから構成されています。 電池の容量や信頼性等の特性には、材料の組合せや配合比・活物質の充填度・ボイド等が大きく影響していますが、このうち、充填度やボイドを観察する方法として完全ドライ雰囲気で加工・観察が出来るFIB-SEM観察が非常に有効...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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液体試料中の陽イオン成分の分析が可能です
日常の様々な場所で電子機器が使われるようになり、製品の信頼性確保が重要となっています。 プリント基板は高温・高湿度の環境で、配線に用いられているCuがマイグレーションを起こして不良となることが考えられるため、マイグレーションを助長する成分を評価することが...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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FIB:集束イオンビーム加工
で従来より低加速(2kV)の加工を行うことでダメージ層が低減でき、像質が改善されました。 FIB低加速加工によりFIB加工面のダメージを低減することで、TEM像観察、EELS測定において高品質で信頼性の高いデータが得られます。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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構造把握・材料評価・劣化原因特定など各種手法を組み合わせて評価します
有機ELは、自発発光するフレキシブルな次世代ディスプレイ、照明パネルとして期待されておりますが、更なる信頼性の向上が望まれています。各種手法を組み合わせることにより、構造解析や状態分析および劣化原因の特定などの総合評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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固体試料にイオンビームを照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱され…
置(深さ)に依存しますので、このエネルギーを分析することにより薄膜を構成する元素の同定と深さ方向の組成を調べることができます。定量に用いる散乱断面積や試料中のエネルギーロス(阻止能)などのデータの信頼性が高いため、標準試料を用いることなく深さ方向組成分析が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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雰囲気制御下でのサンプリングで材料の正確な評価が可能です
有機ELは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点があり、次世代デバイスの一つとして期待されています。特性向上、長寿命化、信頼性向上等には材料の正確な解析・評価が重要ですが、非常に活性な材料が使用されているため取り扱いには注意が必要です。大気暴露したサンプルと高純度アルゴン雰囲気下で取り扱ったサンプルの比較から、大気暴露で...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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電子回折で結晶性・配向性を連続的に評価
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。 薄膜中の結晶構造の有無はTFT特性や信頼性に影響する可能性があり、デバイス中における局所的な結晶評価が必要になります。 TEMの電子回折測定を用いてIGZO膜中の結晶構造を連続的に評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】リチウムイオン二次電池 電解液の溶媒及び添加剤の分析
製品からの電解液の抽出および成分評価
リチウムイオン二次電池の特性、信頼性には材料が大きく関与しますが、その中でも電解液の影響が大きいと言われています。円筒型、ラミネート型等の各種形状の市販品も適当な方法で電解液を抽出することで、有機溶媒や添加剤を特定することができます...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
SFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM(原子間力顕微鏡)を用いて定量的に評価した例を紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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雰囲気制御イオン研磨(IP)加工を用いた断面観察が可能
リチウムイオン二次電池の電極は、容量等電池の性能や信頼性を大きく左右する非常に大きな構成材料です。充放電サイクル試験後の電極材料を雰囲気制御下でイオン研磨(IP)加工を行うことで、大気暴露による劣化を抑えて正確に観察することができます。 今回、充放電...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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課題解決のために各種手法を組み合わせた評価を行います
リチウムイオン二次電池は二次電池の中でも優れた特性を有し、各種携帯機器電源として広く普及しています。その高出力化、高容量化、長寿命化、信頼性向上など、まだ様々な課題が残されています。各種分析手法を用いて電池材料の総合評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中に金属元素が拡散するとTFT特性が劣化することが懸念されるため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中の金属濃度を精度良く測定する必要があります。 SSDP-SIMSを用いて金属電極の反対側からIGZO膜中のTi濃度を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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IGZO膜中Hについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
IGZO膜はディスプレイ用TFT材料として研究開発が進んでいる材料です。IGZO膜中のH濃度に応じてキャリア濃度が変化して電気特性が変動するため、IGZO膜を用いたデバイス特性および信頼性評価には膜中のH濃度を精度良く測定する必要があります。 SIMSを用いて加熱条件の異なるIGZO膜中のH濃度を評価した事例をご紹介します。...
メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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