人協働ロボット搭載AGV

PR理想の1台が手に入る！人協働ロボットで進化したラボ・オートメーションを…

「人協働ロボット搭載AGV」は、人協働ロボット「MOTOMAN-HC10 (可搬重量10kg)」を搭載し、試験に必要な資材の運搬を行います。 各試験ロボットセルを繋ぎ、進化したラボ・オートメーションを実現。 カスタマイズに完全対応しており、牽引型、特殊車体も検討が可能です。 また、自由なレイアウトを可能にする非接触充電システムを搭載しております。 【特長】 ■停止制度：公称...

メーカー・取り扱い企業： 田辺工業株式会社

【CO2・温湿度・PM・VOC】多彩な測定項目【CD2シリーズ】

PR『CO2や空気中に含まれる見えない粒子』を数値化してみませんか？クリー…

VERIS社製『CD2シリーズ』は、ダクトやチャンバー内の 計測や制御に使用される 多項目測定CO2 センサです。 非分散型赤外線方式（NDIR）により、高精度で長期安定性に優れた計測を行います。 また、特許取得の自己校正機能により、ドリフトの補正を自動的に行い、 長期間のメンテナンスフリーを実現します。 当シリーズでは、CO2、温度、湿度、VOC、PM を組み合わせた型式をご用意しております...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パーソンズエンジニアリング

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルシ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター 　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

【スペック】 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

【スペック】 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝55mΩ ■非常に高いスイッチング周波数に...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

【スペック】 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　Si MOSFET用のゲートドライバと互換性あり ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝130mΩ ■非常に高いスイッチング周波数...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

【スペック】 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ■ハイゲート用のICeGaNゲート技術、しきい値と広いゲート電圧ウィンドウ、 　ゲートドライバおよびコントローラと互換性あり、Si MOSFET用 ■ゲート駆動電圧9V～20V ■電流検出機能 ■RDS(on)＝200mΩ ■非常に高い...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

CMUDM7004　MOSFET

Central Semiconductor MOSFET CMUDM7…

VDS ドレイン・ソース間電圧：30V VGSゲートしきい値電流：8.0V ID 連続ドレイン：450mA 消費電力（最大）：250mW 動作温度：-65～+150°C...

メーカー・取り扱い企業： 日本ミック株式会社

NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

SFET ・極性：ユニポーラ ・ドレインーソース電圧：60V ・ドレイン電流：20A ・電力損失：60W ・ケース ：DPAK ・ゲートーソース電圧：±15V ・ON抵抗値：39mΩ ・マウント：SMD ・ゲート電荷：32nC ・梱包種類：リール, テーピング ・チャンネル種別：強化された...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社