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フッ素膜【フッ素薄膜処理における真空蒸着法とスプレー法の違い】
PR各処理方法のメリット・デメリットを分かりやすく紹介した資料進呈。受託加…
本資料では、ガラスや金属に撥水性・撥油性・防汚性・離型性などを付与できる フッ素薄膜処理について、真空蒸着法とスプレー法の違いを説明しています。 フッ素薄膜処理は、基材の形状やコストなどの条件に応じた 処理方法の選定が求められます。 フッ素薄膜処理をご検討中の方は、ぜひ本資料をご覧ください。 【掲載内容】 ・フッ素薄膜処理とは ・真空蒸着法、スプレー法とは ・真空蒸着法...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社カツラヤマテクノロジー T&K事業部
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フッ素膜【フッ素薄膜処理における真空蒸着法とスプレー法の違い】
PR各処理方法のメリット・デメリットを分かりやすく紹介した資料進呈。受託加…
本資料では、ガラスや金属に撥水性・撥油性・防汚性・離型性などを付与できる フッ素薄膜処理について、真空蒸着法とスプレー法の違いを説明しています。 フッ素薄膜処理は、基材の形状やコストなどの条件に応じた 処理方法の選定が求められます。 フッ素薄膜処理をご検討中の方は、ぜひ本資料をご覧ください。 【掲載内容】 ・フッ素薄膜処理とは ・真空蒸着法、スプレー法とは ・真空蒸着法...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社カツラヤマテクノロジー T&K事業部
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小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…
「エピウェーハ」 1. ディスクリートデバイス向けや IC powerデバイス向けに使用されております。 *直径: 100-200 mm *Epi層ドーパント: Boron 、Phosphorous *Epi層抵抗値: 0.01-500 Ω/cm *Epi厚: 1-150 um *Stacking fault: 10 /cm2 以下 *Thickness Uniformity: ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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3インチ~12インチまで少量対応が可能です。 仕様により高抵抗基板・…
CZシリコンを使用したSOI以外にも、基板・デバイス層とも高抵抗FZシリコンを使用したSOIウェーハも対応可能です。 直径:3インチ~12インチ SOI層:2-200um程度(抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能) SiO2(酸化膜)層:0.5-2um程度(0.1-10umも対応可能) 支持基板:300-725um程度(直径によりますが抵抗1万Ω以上など高抵抗対応可能) *仕様によります...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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1インチ以下~450mmまで提供が可能です。各種成膜加工、FZウェーハ…
弊社では、半導体製造装置テスト用のモニターウェーハ・ダミーウェーハ、太陽電池用単結晶シリコンウェーハ・太陽電池用多結晶ウェーハ・SOIウェーハ・拡散ウェーハなどを取り扱っております。 お客様の用途に合わせて適したウェーハをご紹介させていただきます。 CZウェーハは直径1インチ以下から450mmまでご提供が可能です。 また貴社でお持ちのウェーハにEPI成膜を行ったり、SOIウェーハへの加工など...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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