【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか？

PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

メーカー・取り扱い企業： パワーコントロ―ル社

命の水を確保。河水や雨水から純水を造る、レス救水。デモ機貸出中

PR【被災地・能登でも川の水や雨水から浄水。非常時の電源確保、移動可能なシ…

3.11東日本大震災や熊本地震での実機投入の経験を活かして開発を続けるレス救水。 年明け1/17・18の能登地震に対応して被災地・輪島で2カ所の調剤薬局に TOPレスキューXROを支援設置、川の水・雨水などから毎時1000Lの飲料水、 生活用水やトイレ用水などを浄水しました。 レス救水シリーズは、ガソリン発電機搭載の大容量を供給できるXROをはじめ、 太陽光パネル搭載で大容量のRO2から、50...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップウォーターシステムズ

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須と...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト次世代太陽電池として期待されています。大面積化、高品質化のための開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS

SIMS：二次イオン質量分析法

ジングSIMSが有効です。 投影型イメージングSIMS用のRAE（RAE：Resistive Anode Encoder）検出器を用いることで、一般的にイメージング分析に用いられる走査型と比較して大口径かつ深い領域まで分布像を得ることが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜の結晶粒評価

SEMによる結晶方位解析

CIGS薄膜多結晶太陽電池は低コスト化・大面積化・高品質化を期待されている次世代の太陽電池として開発が進められており、その際に結晶情報が必要とされています。EBSD法ではCIGS膜の結晶粒評価が可能です。 EBSD法で得られる結晶情報は主...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST