機械要素技術展(M-Tech)出展のご案内

PR様々な商品を展示します！弊社ブースへお気軽にお立ち寄りください！

2024年6月19日(水)～21(金)に東京ビッグサイトで開催される「機械要素技術展(M-Tech)」に出展いたします。 今年は「NEXT STAGE ～未来へ紡ぐ機構部品～」をテーマに、新製品・半導体製造装置関連・鉄道関連・流通関連・電気錠・共同開発のコーナーに分けてそれぞれの環境に適した部品を複数展示いたします。 上記以外にも通信機器・医療機器・配電盤・建設機械など様々な製品にご使用いただ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社栃木屋

JFEプラントエンジ『現地機械加工』のご紹介

PRものづくり設備を短工期・高精度で補修。設備更新のコストを抑え、さらなる…

『現地機械加工』はこのような悩みを解消します！ 　・基礎に埋設され動かせない。 　・構造が複雑、工期も無く、分解できない。 　・重量やサイズが大きく、運搬が難しい。 お客様の工場内で作業を行うため、分解や運び出しができない設備でも現地機械加工が可能です。 また運び出しが可能な設備でも、現地でメンテナンスを行うため機械運搬時の事故など万一のリスクもありません。 ≪現地機械加工の特...

メーカー・取り扱い企業： JFEプラントエンジ株式会社

非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。 非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質量分析等の破壊を伴う分析手法を主として受託サービスを展開しておりましたが、電子デバイスを破壊せず観察したいという顧客ニーズが近年増加しておりました。また、...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［TOC］全有機体炭素測定

TOC計は、試料中の全炭素量 、全有機体炭素量、無機体炭素量（IC：を…

TOC計は、試料中の全炭素量（TC：Total Carbon） 、全有機体炭素量（TOC：Total Organic Carbon)、無機体炭素量（IC：Inorganic Carbon）を評価することができる装置です。 ・有機成分含有量を全有機炭素量（TOC）として評価可能 ・液体試料と固体試料の測定が可能 ・全炭素量（TC：Total Carbon）、無機体炭素量（IC：Inorga...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分子動力学計算によるカーボンナノチューブ曲げ変形シミュレーション

ナノ材料に外力を加えた時の形状変化、歪みエネルギーの評価が可能

カーボンナノチューブは軽量で高い強度、柔軟性を持ったナノ材料であり、その優れた物性から様々な分野への応用が期待されています。一方で、形状変化に伴う物性の変化も知られており、外力に対する変形や歪みの評価が求められています。本資料では、分子動力学計算を用いて単層カーボンナノチューブの曲げ変形シミュレーションを行った事例を紹介します。シミュレーションを行うことで、実測からは評価が難しい原子レベルでの形状...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】リチウムイオン二次電池電解液成分の分布シミュレーション

電解液界面近傍の模式図や電解液中の溶媒和構造などを図を用いて詳しく掲載…

リチウムイオン二次電池の充放電過程において、電解液中及び負極との界面近傍では溶媒和の形成、脱溶媒和、電気二重層の形成、Liイオンの脱挿入など様々な現象が生じています。 当資料では、有効遮蔽媒質法とReference Interaction Site ModelをハイブリッドさせたESM-RISM法を用いて、電解液成分のミクロな分布をシミュレーションによって評価した事例をご紹介。 当手法...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】二次電池正極活物質の構造評価

活物質の粒径・結晶方位評価、原子レベル観察が可能

リチウムイオン二次電池は充放電によるイオンの脱離・挿入などで電極活物質に成分や結晶構造の変 化が生じます。正極活物質として用いられるLi（NiCoMn)O2（NCM）の構造評価として、EBSDにより一次粒子の粒径や配向性を評価しました。更に、方位を確認した一次粒子について高分解能STEM観察を行 い、軽元素（Li,O）の原子位置をABF-STEM像で、遷移金属（Ni,Co,Mn）の原子位置をH...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機EL(OLED)発光層の解析

発光層のゲストの定量・膜厚評価が可能

有機ELディスプレイは自発光原理による高輝度、高精細カラー、薄型化等の利点を活かし実用化が進みつつあります。発光層では発光効率を高めるために、ホスト分子中にゲスト分子がドーピングされています。今回、有機EL表示素子において赤色画素の発光層材料の同定を行いました。また、新規に段 差計を用いた発光層の膜厚評価や発光層中におけるゲスト材料の定量を行いました。発光層中のゲスト分子の定性・定量ならびに発光...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】二次電池負極SEI被膜の元素分布評価・化学状態評価

負極の断面構造・表面形状、活物質断面の元素マッピング像など複合的にアプ…

リチウムイオン二次電池の負極での容量低下の一因として、 活物質と電解液の界面反応により活物質表面に様々なリチウム塩化合物が 複合化したSEI（SolidElectrolyteInterphase）と呼ばれる被膜が 形成されることが挙げられています。 電池の性能向上のためには、SEI被膜の組成・厚み・化学結合状態の 制御が求められています。 当資料では、車載用電池の炭素系の負極活...

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【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツー...

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【分析事例】クリーンルーム内有機化合物の評価方法

GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法

半導体や液晶などの製造が行われているクリーンルームでは、パーティクルだけでなく分子レベルの化学汚染（分子状汚染）を把握することが重要です。浮遊分子状汚染物質としては酸・塩基性ガスや凝集性有機物質、ドーパント、金属などが挙げられ、成分に応じて分析方法は異なります。 ここでは凝集性有機物質の詳細と、代表的な捕集方法である“吸着剤捕集”と“ウエハ暴露捕集”について紹介します。...詳しいデータはカタロ...

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【分析事例】リチウムイオン二次電池内部の非破壊観察

X線CTによる観察事例

リチウムイオン二次電池はスマートフォン・デジタルカメラなど、幅広く使われている電池です。リチウムイオン二次電池は充放電を繰り返すことで劣化し、電池が膨らむ現象が発生することがあります。この現象が発生した電池を調査する場合、内部に溜まったガスや電解液等による反応が懸念され、加工には危険を伴うことから非破壊で内部の構造を確認する必要があります。 本事例では充放電を繰り返したリチウムイオン二次電池の...

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【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

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【分析事例】セラミックス材料に含まれる微量金属の価数評価

ppmオーダーの微量金属も評価可能です

各種材料の特性を設計・制御するにあたって、母材に微量含まれている元素の種類や量、またそれらの存在状態を明らかにするのは非常に重要です。このうち元素の種類や量に関してはSIMS(二次イオン質量分析法)やICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析法)などによって評価可能ですが、価数・化学結合状態などといった存在状態の評価には放射光を用いたXAFS(X線吸収微細構造)測定が有効です。本資料では測定例としてセ...

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【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の出来映え評価や故障解析に有効なツールの一つです。...詳しいデ...

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【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】真空中での有機成分の脱離評価

複合解析により特定の有機成分の脱離について温度依存性評価が可能です

TDS（昇温脱離ガス分析法）は真空中（1E-7 Pa）で試料を昇温しながら脱離成分と脱離温度を確認できる手法です。さらに有機物を同定できるGC/MS（ガスクロマトグラフィー質量分析法）とTDSの結果を組み合わせて解析することで、真空中において、特定の脱離成分の脱離温度について評価が可能です。 以下にグラフェンについてTDSとGC/MSの複合解析を実施した例をご紹介します。...詳しいデータはカ...

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【分析事例】AFMデータ集

AFM :原子間力顕微鏡法

AFMは微細な探針で試料表面を走査し、ナノスケールの凹凸形状を三次元的に計測する手法です。 金属・半導体・酸化物などの材料評価だけでなく、毛髪やコンタクトレンズなどのソフトマテリアルまで幅広い材料を測定可能です。 本資料では、様々な材質のAFM像をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】走査イオン顕微鏡によるCu表面の結晶粒観察

金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を得ることが可能です

走査イオン顕微鏡（Scanning Ion Microscope：SIM）は固体試料にイオンビームを照射し、発生する二次電子を検出する手法です。二次電子は各結晶粒の結晶方位に応じたコントラストを生じるため、SIMによってCuやAlなどの金属多結晶の結晶粒の大きさや分布に関する知見を簡便に得ることが可能です。本資料では測定例としてCu表面をSIMによって観察した事例をご紹介します。...詳しいデータ...

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【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観察しました。その結果、複数箇所にて1mm～20mm程度の複数の空隙があることを確認しました。本手法によって、貼り合わせウエハ内部の密着性評価が可能となります。...詳しいデータはカタログをご...

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【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価

試料断面における応力分布を確認することが可能です

単結晶Siのラマンスペクトルのピークは、試料に圧縮応力が働いている場合は高波数シフト、引張応力が働いている場合は低波数シフトします。これにより、Siの応力に関する知見を得ることができます。 IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の断面について、ラマンマッピングで応力の分布を確認した例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CMOSセンサの総合評価

スマートフォン部品のリバースエンジニアリング

市販品のスマートフォンからレンズ、CMOSセンサチップをそれぞれ取り出し、評価した事例をご紹介します。 目的に応じて研磨・FIB加工により、平面、断面を作製し、TEM,SEMにより層構造やレイヤーを確認しまた。さらに、EDXにより膜種の同定を行いました。MSTでは、解体から分析まで一貫してお引き受けが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】DRAMチップの解析

製品内基板上DRAMのリバースエンジニアリング

代表的なメモリであるDRAMについて製品レベルからTEM観察による素子微細構造解析まで一貫して分析します。 外観観察からレイヤー解析、Slice＆Viewを行うことで構造の全体像を把握し、FIB加工位置をナノレベルで制御し薄片形成後にメモリ部の微細構造をTEM像観察しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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【分析事例】スマートフォン用保護フィルムのAFM分析

感覚的な製品の出来映えを定量評価可能

スマートフォンの普及率は年々増加し、それに併せて表面に貼る保護フィルムも機能が多様化しています。 今回、指紋防止及び反射防止機能を持つ2種(A,B)のフィルムについて、AFM分析により、手触りのような感覚を粗さという観点で定量評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

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［RBS］ラザフォード後方散乱分析法

固体試料にイオンビームを照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱され…

RBSは固体試料にイオンビーム(H+,He++)を照射し、ラザフォード散乱によって後方に散乱されてくるイオンのエネルギーおよび強度を測定する手法です。 散乱されたHeイオンの運動エネルギーを測定し、衝突した原子の質量数を調べることで分析サンプルの成分や層構造を評価することができます。 また、固体試料にHeイオンを入射して前方に散乱されたHイオンを測定することで、サンプル中の水素濃度を評価す...

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［TDS］昇温脱離ガス分析法

真空加熱/昇温により発生したガスを温度毎にモニターできる質量分析法。水…

TDSは、真空加熱/昇温により発生したガスを温度毎にモニターできる質量分析法です。 TDSスペクトルは、横軸に温度、縦軸にイオン強度を表します。これにより、放出されるガスの脱離量の比較、脱離温度の比較が可能です。また、真空雰囲気下であることから水素や水も感度よく分析することができます。 ・試料から脱離するガス及び圧力と、発生温度の関係を知ることが可能 ・試料のみを加熱できるため、バックグ...

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［C-SAM］超音波顕微鏡法

C-SAMは、試料の内部にある剥離などの欠陥を非破壊で観察する手法です…

C-SAMは、SAT：Scanning Acoustic Tomographyとも呼ばれます。 ・X線CTによる観察では確認が困難な「電極の接合状態」や「貼り合わせウエハの密着性」などの確認に有効。 ・反射波のほか、透過波の取得も可能。...音波を用いることから試料の光学的な性質に左右されず、試料表面だけでなく、表面下の内部構造も非破壊で観察する事が可能です。空気との界面での反射が大きいこ...

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［XRF］蛍光X線分析法

照射X線により発生する蛍光X線を検出し、エネルギーや分光結晶で分光する…

蛍光X線分析（XRF： X‐ray Fluorescence）は照射X線により発生する蛍光X線を検出し、エネルギーや分光結晶で分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法です。 ・測定範囲の全エネルギー（Na～U）が同時に短時間で測定可能 ・未知試料の分析に適している ・非破壊分析 ・特殊な試料を除き、前処理不要、大気中での分析が手軽に行える ・ハンドヘルド型の装置で動かせない...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［PL］フォトルミネッセンス法

PL：PhotoLuminescence

フォトルミネッセンス法とは、物質に光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発生する光を　観測する方法です。得られる発光スペクトルから、様々な情報を得ることが可能です。 ・バンドギャップ約3.5eVまでのサンプルを励起することが可能 ・マッピング機能により、広範囲の情報を得ることが可能 ・約10Kまでの測定が可能 ・一般的に非破壊の測定であり、特殊な前処理が不要 ...フォトルミ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】STEM,EBSDと像シミュレーションを併用した解析

像シミュレーションを併用した結晶形の評価

高分解能HAADF-STEM像は、結晶の原子配列を反映した画像であることから、種々の結晶方位に対応したSTEM像をシミュレーションすることにより、多結晶体中の結晶粒間の相対方位や観察像の正確な理解に役立ちます。 本資料では、多結晶体であるネオジム磁石中の結晶粒について、EBSD法で得た結晶方位の情報からSTEM像をシミュレーションし、実際の高分解能HAADF-STEM像と比較した事例を紹介します...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST