【書籍】先端半導体製造プロセスの動向と微細化（No.2220）

PR【試読できます】－成膜技術、リソグラフィ、エッチング、CMP、洗浄－

書籍名：先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ★ムーアの法則の限界が叫ばれる中、微細化技術の開発はどこまで続くのか！ 　　新構造、新材料の適用が進む、先端半導体製造「前工程」の最新技術を網羅した一冊 －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－ ■　本書のポイント　1 ・EUVリソグラフィの最新動向とレジスト、マスク、光源の技術課題 ・これ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社技術情報協会

FPD・半導体用 ガラス基板搬送ケース※1個から生産可能

PRG１～G６ｈの様々なサイズにも対応。精密・高品質なガラス搬送ケースの製…

当社の『ケース事業』では、お客様のニーズに合わせて、ケースの製作・ 修理・洗浄・保管から輸送までトータルシステムをご提案します。 精密・高品質なガラス搬送ケースの製造・クリーンルーム洗浄から物流 支援まで幅広く手掛けています。 また、長年培ってきたガラス精密加工技術をベースに、フラットパネル ディスプレイ用（LCD・OLED）フォトマスク用・メタルマスクのケースなどの 先端分野...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ディー・アール・エス（DRS)

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

β-Ga2O3は広いバンドギャップを有し、優れた送電効率や低コスト化の面で次世代パワーデバイスや酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST