加圧RTA装置

基板加熱温度最高1000℃！基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減！

『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能です。 【特長】 ■加熱プロ...

メーカー・取り扱い企業： ジャパンクリエイト株式会社

RTA装置

トレイ搬送にも対応可能！優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現

『RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応できる 製品です。 基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能。 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体をはじめ、MEMSや電子部品にご利用いただけます。 【特長】 ■減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリ...

メーカー・取り扱い企業： ジャパンクリエイト株式会社