• ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー 製品画像

    ★中心粒径250nm~★焼結体向け超微粒SiCパウダー

    PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適!超微粒α-SiCパウダー

    当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50(中心粒径):0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します (GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット)  ・低温焼成:CO2削減、ランニングコスト低減  ・緻密化 :成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社フジミインコーポレーテッド

  • 【事例資料進呈!】非金属や難削材も加工可能!高精度な両面研磨 製品画像

    【事例資料進呈!】非金属や難削材も加工可能!高精度な両面研磨

    PR真鍮、セラミック、タングステンなど難削材もお任せあれ!板厚精度±5μ・…

    『精密両面研磨』は、ディスク型砥石でワークを挟み上下同時に研磨する技術です。 上下から圧力をかけるためワークの反りを抑えられ、平面平行を高精度に維持。 ワーク板厚精度±5μ・平面度10μ・平行度5μを実現します。 表面粗さを指定通りに仕上げられ、また【鏡面等】高品位面の仕上げを実現致します。 マグネットチャックではないため、非磁性体にも加工を施せます。 【特長】 ■インコネ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社諏訪機械製作所

  • SiCモジュール『ED3Sシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

    「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

    た SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高性能Si3N4セラミック低熱抵抗基板を使用 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge,Dual Boost回路 ■Pressfit端子 ■厚銅フレームで内部チ...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

  • SiCモジュール『EOシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『EOシリーズ』

    電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

    『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge回路 ■Pres...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

  • SiCモジュール『HPDシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『HPDシリーズ』

    高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

    『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗(RDC≦0.1mΩ)を 実現します。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

1〜3 件 / 全 3 件
表示件数
30件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • ipros_bana_提出.jpg
  • 0527_iij_300_300_2111588.jpg