★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

単結晶高純度ダイヤモンド合成用CVD装置　DCVD-51A

コンパクトで省電力！デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験用…

うためのプラズマCVD装置 【特徴】 ○コンパクトで省電力 ○超高真空技術を駆使しており、プラズマが室壁に接触しないため 　デバイス作成向け単結晶高純度ダイヤモンド合成実験が可能 ○球状コンパクトチャンバー＋特殊電極により、高効率な運転が可能 ○放電状態を見ながらの実験が可能 ○試料導入はロードロック方式への発展が可能 ○完全なシールド構造により、マイクロ波の漏れ対策は万全 ...

メーカー・取り扱い企業： アリオス株式会社