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基板加熱温度最高1000℃!基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減!
『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス(0.9MPaG)まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能です。 【特長】 ■加熱プロ...
メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社
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小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合…
必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3源)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大4、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブ...
メーカー・取り扱い企業: テルモセラ・ジャパン株式会社
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トレイ搬送にも対応可能!優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現
『RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス(0.9MPaG)まで対応できる 製品です。 基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能。 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体をはじめ、MEMSや電子部品にご利用いただけます。 【特長】 ■減圧プロセスから加圧プロセス(0.9MPaG)まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリ...
メーカー・取り扱い企業: ジャパンクリエイト株式会社
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