Enapter社「AEM式水電解水素製造装置」

PRAEM（アニオン交換膜）式水電解を採用。アルカリ水電解・PEM水電解の…

【AEM式水電解水素製造装置　3つの特長】 １．高圧・高純度の水素を生成 　　99.999%純度の水素を3.5MPaGの高圧で生成可能。電極反応はアルカリ 　　水電解と同じですが、腐食性の高い濃アルカリ液を使用しません。セ 　　ル構造はPEM水電解と同様、膜電極接合体構造で高速応答性、広い運 　　転範囲、間欠運転を許容する等の優れた特性を持ちます。 ２．貴金属不要で低コストを実現 　...

メーカー・取り扱い企業： 三國機械工業株式会社

小型真空蒸着装置『HVE-100』【クリーンな成膜を実現！】

PRクリーンな成膜が可能な小型真空蒸着装置！シャッタを具備しているので安定…

『HVE-100』は省スペースな小型蒸着装置です。基板成膜面は下向きで 設置、抵抗加熱源からの蒸発で上向きに成膜する配置（デポアップ）です。 シャッタを具備しているので安定した状態で蒸着が可能です。 【特長】 ■高真空排気系：<10^-4Paの到達真空度でクリーンな成膜が可能 ■チャンバはメンテナンスしやすいようにSUS製で内部に防着板を配置 ■省スペース/小型化：W500×D39...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ハイブリッジ 東京営業所

「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

る事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビームを最適化したところ、Al0.28Ga0.72As 膜と GaAs 膜の界面での 27Al のプロファイルの...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければなら...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター