SR-SCOPE DMP30 電気抵抗式膜厚測定器

PR裏面や内層材の影響を受けずに銅の膜厚を測定

【SR-SCOPE DMP30】は、プリント回路基板上の銅の厚さを迅速かつ高精度に非破壊で、基板裏面にある銅層の影響を受けずに測定することができる電気抵抗式の膜厚測定器。堅牢で近代的な新しいデザイン、デジタルプローブと新しいアプリケーションソフトウェアにより、プリント基板表面の銅の膜厚測定に好適。保護等級IP64のアルミ製の筐体、落下などから筐体を保護するソフトバンパー、強化ガラスの液晶ディスプレ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フィッシャー・インストルメンツ

エルコメーター456 膜厚計＆ウルトラ・スキャンプローブ

PR膜厚の超高速読み取り機能とBluetooth(R)による測定データの転…

「エルコメーター456 膜厚計＆ウルトラ・スキャンプローブ」は、 広い面積、多くの測定箇所で膜厚管理を要求される工事仕様で 素早く膜厚を測定し、データ編集・作成することができる膜厚計です。 毎分140回の速度で膜厚を測定することが可能で、測定値は膜厚計本体に保存。 保存されたデータはBluetooth(R)を使って、モバイル端末、PCに リアルタイムで転送、測定数値を編集アプリで管理することが...

メーカー・取り扱い企業： Elcometer株式会社 エルコメーター

「ESCAによる多層膜の深さ分析」 事例集

光電子分光分析装置（ESCA）を使用した多層膜の深さ分析結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの光電子 分光分析装置「ESCA」による多層膜の深さ分析の事例集です。 シリコン基板の上にシリコン...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体材料分析項目 原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚 表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造 表面組成、結合状態、深さ方向分布 不純物濃度、深さ方向分析 結晶構造、応力歪 構成元素、組成 表面のヤング率、硬度...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

成膜・熱処理装置ラインナップ

半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

DLCの物理分析

DLC(ダイアモンドライクカーボン)の各種分析が可能！

DLC(ダイアモンドライクカーボン)の結晶性、膜厚の構造、水素量、密度、硬度の評価を紹介いたします。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定

化合物半導体サンプルを試料に、深さ分解能を測定した結果を紹介。

る事ができる装置です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によっては、Al0.28Ga0.72As/GaAs を 50nm ずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを 試料として用い、深さ分解能を求めました。 1次イオンビームを最適化したところ、Al0.28Ga0.72As 膜と GaAs 膜の界面での 27Al のプロファイルの...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

組成比勾配のあるSi(1-x)Gex 試料の定量化

2点の問題を解決するために濃度既知の試料を3点以上分析。

歪 Si デバイスに用いられる組成比勾配を持つ Si(1-x)Gex膜の深さ方向に 対するGeの濃度分布を正確に定量するのに SIMS(2 次イオン質量分析法)が 用いられます。 SIMS で Si(1-x)Gex 膜を分析する際に 2 点解決しなければなら...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

イオン注入シミュレーション

ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。

濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 　多段注入条件の計算 その他のシミュレーション ・熱処理後の拡散 　熱処理前後でのプロファイル計算 ・多層構造の計算 　SiO2等の膜厚最適化 ただし、シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター