膜厚分布 | イプロスものづくり

極小領域の膜厚測定が可能に！電子線照射時に発生する特性X線の強度から膜…

当社ではEPMAによる薄膜の膜厚分布測定を行っております。薄膜の膜厚測定は主に蛍光X線法やX線反射率法で行われており、X線を入射源としているためある程度の広い測定領域の平均的な膜厚しか測定できませんでした。それに...

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捕らえることが可能

アルミニウム電極表面のOHやフッ化物は電極の腐食原因の一つであり、アルミニウム表面の状態を調査することは不良原因の調査に欠かせません。TOF-SIMSは最表面での深さ方向分解能に優れ、無機物の状態をモニターしながら高感度に深さ方向分布を測定することが可能です。OHと併せて深さ方向分布を評価することで、酸化膜厚の変化を伴わずにOHが増加していた現象を見出しました。このようにTOF-SIMSでは元素分...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価

多点マッピング測定により膜厚分布を可視化

蛍光X線分析（XRF）では、元素分布や膜厚の簡便な評価が可能です。本事例では、金属薄膜の評価事例として、4inchのSiウエハ上のAuの膜厚分布について多点マッピング測定をした事例をご紹介します。多点マッピングを行うことで、各点のXRFスペクトルよりFP(Fundamental Parameter)法を用いてAu膜厚を算出し、測定座...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】シームレスカプセルの三次元構造観察および膜厚解析

X線CTによりシームレスカプセルの評価・解析が可能

、内部に粉末や液体を内包することができ、医薬品などに利用されています。本事例では、X線CTにてシームレスカプセルの3D構造を評価しました。その結果、皮膜内部に異物が確認されました。また、皮膜の膜厚分布を3Dイメージおよびヒストグラム化しました。このようにX線CTを用いることで、内部構造の確認、異物の調査、膜厚分布等を非破壊で評価可能です。測定法：X線CT法製品分野：医薬品分析目的：...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ステンレス不動態皮膜の深さ方向状態評価と酸化膜厚評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

ステンレス(SUS)は耐食性に優れ、様々な工業製品・部品として使用されています。腐食に強い材料ですが、経年劣化や加工処理によって表面不動態皮膜の組成に変化が生じると不具合の原因につながります。今回、TOF-SIMSを用いてステンレス表面の金属酸化膜の状態について分析した事例をご紹介します。TOF-SIMSでは酸化物状態として分子情報を高感度に得ることで、表面数nm～数十nmの酸化物の分布を得ること...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

技術情報誌 202304-01 エリプソメトリーを用いた薄膜評価

エリプソメトリによる、PVA膜スピンコート直後の経時変化とシリコン絶縁…

膜厚と屈折率の経時変化図5　スピンコート後大気下乾燥中のPVA膜中に含まれる水分量の変化図6　自動エッチング装置から得られる傾斜面図7　傾斜エッチングした熱酸化膜/Si基板の熱酸化膜の膜厚分布 図8　X=0.45 cmにおけるY軸方向の膜厚変化...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター

技術情報誌 202001-01 in-situ STEM

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel junction）構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター

半導体分析

各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！

半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など　各種手法により研究開発のサポートを致します。...半導体材料分析項目原子レベルの構造観察、結晶構造、転位密度、膜厚表面形状、断面構造(膜厚) 結晶性(面方位)、積層膜の周期構造表面組成、結合状態、深さ方向分布不純物濃度、深さ方向分析結晶構造、応力歪構成元素、組成表面のヤング率、硬度...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSによ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Oリングの使用履歴による形状評価

X線CTにより部品の非破壊観察・厚さ分布解析が可能

X線CT分析では、部品の構造や寸法を非破壊で比較・調査することが可能です。本資料では、真空装置に使用されているゴム製のOリングの測定事例を紹介します。ガスがリークしている長時間使用品を調査するため、Ｘ線CT分析および三次元画像解析を行い、新品のデータと比較しました。その結果、長時間使用品は局所的にリングの太さが細くなっている箇所が検出され、そこからリークが起きていることが示唆されました。測定法...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

サービス　実験・受託加工

粉砕・乾燥・加熱・冷却・混合・造粒・表面改質等各機種による実験が可能で…

全ての装置・技術に対して実験対応しています。実験をご希望の際はお気軽にお問い合わせ下さい。また、受託加工もお受けしています。...【特徴】 ○全ての装置・技術に対して実験対応しています。受託加工もお受けしています。 ○実験・受託加工機器　　・各種機器による実験・受託加工が可能です。 ○分析測定機器　　・比表面積径測定装置　　・粒度分布測定装置　　　　ロータップシェイカー、シー...

メーカー・取り扱い企業：株式会社奈良機械製作所

【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価

TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能

TOF-SIMSで得られる分子情報の深さ方向分析では、（1）深さ方向分解能が良い、（2）酸化物・窒化物・ふッ化物・炭化物・合金・金属など無機物の化学状態の区別が可能、（3）微量な状態の評価が可能、（4）OHのモニターが可能、（5）相対的なサンプル間の比較（膜厚・組成）が可能、（6）イメージ分析により表面数nm程度について状態の分布を視覚的に捕らえた評価が可能です。自然酸化膜と酸化膜の結果をまと...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS薄膜の組成分布分析

薄膜の組成定量、面内分布、深さ方向分布の評価が可能

CIGS薄膜太陽電池の高性能化を目指した開発において、光吸収層の成膜プロセスの条件最適化が必要とされており、CIGS組成の組成分布の制御が重要になっています。成膜したCIGS薄膜の組成について、ICP-MSで高精度に定量した事例、SIMSで深さ方向に濃度分布を評価した事例、およびXRFにて基板面内の濃度分布を評価した事例を紹介します。測定法：SIMS・ICP-MS・XRF・エッチング製...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量（単位：atoms/cm2）を高い精度で評価が可能です（図1）。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出(図3)することが可能です。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST