TDDB(酸化膜破壊)試験

寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用…

当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック