TDDB(酸化膜破壊)試験クオルテック

寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要

当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。

半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ
酸化膜の破壊が発生します。

これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、
半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。
このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。

【特長】
■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能
■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能

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基本情報TDDB(酸化膜破壊)試験

【試験スペック】
■印加電圧：最大3kV(200mA)
■検出電流：1nA(検出抵抗1MΩ挿入)
■環境温度：恒温槽使用時、最高150℃、オーブン使用時、最高200℃(電圧1kV以下)

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