リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

サイクロン式クーラント液浄化装置　※デモ機有り

PR【SDGsに貢献】省電力ながらスラッジを効率的に除去！フィルタレスと液…

「液の入れ替えやタンクの清掃が面倒だ」 「フィルタのランニングコストを下げたい」 「産廃排出量を低減したい」 「液の温度管理がしたい」 「製品の不良率を低減したい」 現場ではこの様な声をよく聴くことがあります。 弊社では省電力ながらスラッジを効率的に除去するサイクロン式クーラント液浄化装置を提供することで、 SDGｓに貢献できると考えております。 スラッジを除去することで液を循環して使用でき、...

メーカー・取り扱い企業： 日本スピンドル製造株式会社 環境事業部

スタック式加熱炉　硬化炉・乾燥炉

加熱乾燥工程の自動化に最適！放熱、炉体周辺温度の上昇を抑え、省エネに貢…

、長時間の加熱が可能。 基板・トレイをローダーから取り込み、枚葉処理にて個別炉室へ搬送し昇温します。 タクトタイムと昇温時間・加熱保持時間から炉室数を設定するため、 ムダの無い省エネな加熱装置です。 トレーサビリティに対応し、ワーク単位にて加熱時間・加熱温度の管理が可能です。 加熱炉の省スペース化に貢献でき、加熱後は次工程へ排出するか、冷却ステージに収納 もしくはマガジンへ収納...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-100

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 700mm ■装置重量：約55kg ■有効対象物サイズ（WxD）：100 x 100mm ■加熱方式：IRヒーター ■最大到達温度：1200℃ ...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

ウォーキングビーム搬送式　加熱炉・硬化炉

加熱工程の自動化に貢献！昇温時間が短く、プロファイル作成可能な加熱法で…

【仕様】 ■装置構成：加熱炉＋炉体内搬送 ■対応温度：60℃～350℃　※温度プロファイル作成可　350℃以上は要検討 ■ステージ数：2～10程度　※2列式対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ12対応　高速アニール加熱システム VPO-1000-300

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 830mm ■装置重量：約105kg ■有効対象物サイズ（WxD）：300 x 300mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システムRTP-150

GaNの結晶成長をはじめ、急速・均一な熱処理を必要とする幅広いアプリケ…

【仕様】 ■装置サイズ（WxDxH）：504 x 504 x 570mm ■装置重量：約80kg ■有効対象物サイズ（WxD）：156 x 156mm ■加熱方式：クロス配列IRヒーター ■最大到達温度：1...

メーカー・取り扱い企業： 日精株式会社 本社