• Maku ag社 Tダイリップ自動調整ロボット 製品画像

    Maku ag社 Tダイリップ自動調整ロボット

    PRTダイに本装置を後付けするだけで、ダイリップ及びチョークバーの調整の全…

    Tダイに後付けし、オペレーターによるマニュアル操作またはヒートボルトダイに代わって、 ロボット(アクチュエータ)が幅方向にトラバースし機械的にボルトの開閉を実施する装置です。 既設のTダイに取付が可能なため、低コストでの自動化を実現することが可能となります。 Tダイのボルト位置・ボルト角度等は初期設定でレシピ保存・記憶され、 厚み計からのフィードバックを受けることで確実なボルトへのアプロー...

    メーカー・取り扱い企業: 伊藤忠マシンテクノス株式会社

  • 銅・真鍮加工の石垣商店:得意技3選! 製品画像

    銅・真鍮加工の石垣商店:得意技3選!

    PR1個からのご注文お待ちしてます!銅棒の旋盤加工φ10〜φ55加工実績あ…

    株式会社石垣商店の「得意技3選」をご紹介いたします。 元々銅板や真鍮板の卸売業で、一次卸問屋から直接仕入れをするためムダな 材料費の上乗せがありません。 また、様々な角度の曲げができ、スズメッキ、ニッケルメッキ、銀メッキ など、各種メッキ対応も可能です。 【得意技】 ■銅板の卸売業時代の調達ルートが生きている ■様々な角度の曲げが可能 ■スズメッキ、ニッケルメッキ、銀メ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社石垣商店

  • 角度分解HAXPES測定 製品画像

    角度分解HAXPES測定

    HAXPES:硬X線光電子分光法

    HAXPESでは、試料表面から深い位置まで(~約50nm)の情報を得る事が可能です。さらに2次元検出器を用いた角度分解測定により、広い光電子取出角で取得したデータを、角度すなわち検出深さを変えた情報に分割することができます。これにより、非破壊でXPSよりも深い位置までの深さ方向結合状態比較が可能です。状態変化が...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価 製品画像

    【分析事例】角度分解XPS(ARXPS)による極薄膜組成分布評価

    基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

    角度分解XPS(ARXPS)はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料で...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 極点測定 製品画像

    極点測定

    XRD:X線回折法

    極点測定は特定の結晶面に着目し、試料に対して様々な方向からX線を入射させることで結晶方位の分布を評価する方法です。検出器を着目の結晶面の回折角度(2θ)に固定し、α(試料のあおり角度)とβ(試料の面内回転角)の2つのパラメータを変化させてあらゆる方向に傾いた結晶面を測定します。高い回折強度が観測される方向に結晶方位が集中していることを示しま...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [XRR]X線反射率法 製品画像

    [XRR]X線反射率法

    XRR:X-ray Reflectivity

    XRRは、X線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その反射強度を測定します。この測定で得られた反射X線強度プロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメータを最適化することによって、試料の膜厚・密度を決定する手法です...

    • 打ち合わせ.jpg
    • セミナー.jpg

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】金属膜の高温XRD評価 製品画像

    【分析事例】金属膜の高温XRD評価

    昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

    行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度が増加し、半価幅が小さくなり、結晶化が進行していることが分かりました。 また、温度が上昇するにつれ、熱膨張によりピークが低角度側(格子間隔が広がる方向)にシフトしていることを確認できました。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】素子分離領域の歪解析 製品画像

    【分析事例】素子分離領域の歪解析

    NBD:Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解…

    NBD法では電子線が試料中で回折する角度(電子回折スポット位置)の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域(LOCOS周辺)のSi基板について測定...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • [ED]電子回折法 製品画像

    [ED]電子回折法

    EDは、電子線を試料に照射することで得られた回折パターンから結晶構造を…

    入射した電子が結晶の格子面に対してブラッグ条件を満たす角度となったとき、電子は弾性散乱されます。 散乱された電子は互いに干渉しあいますが、ブラッグ条件を満たした電子だけが特定の方向に回折波として強度を持ち、回折スポットを形成します。 透過光と複数の回折...

    • 打ち合わせ.jpg
    • セミナー.jpg

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】燃料電池の触媒の評価 製品画像

    【分析事例】燃料電池の触媒の評価

    XPSによる化学状態分析とTEMによる形態観察

    造をしています。Ptの評価法として状態分析にはXPS分析、形態観察にはTEM観察が有効です。Pt触媒の酸化(被毒)や凝集(比表面積低下)などのPt触媒の劣化についてもこれらの手法で評価可能です。 角度を変えながら撮影した画像を再構築することによりPt粒子の三次元像を得ています。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • 【分析事例】SRAの深さ換算について 製品画像

    【分析事例】SRAの深さ換算について

    SRA:広がり抵抗測定法

    SR測定は試料を斜め研磨して、その試料面に2探針を移動させながら接触させ、直下の電気抵抗を測定します。 ある測定点における試料表面からの深さは三角関数の定義より、試料の斜め研磨角度をθとした時のSinθの値(ベベルアングル) とベベルエッジからその測定点までの距離の積より求められます。 尚、ベベルエッジから距離は【X-step 】×【測定点数】となります。...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

1〜9 件 / 全 9 件
表示件数
15件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • ipros_bana_提出.jpg
  • 0527_iij_300_300_2111588.jpg

PR