【防災・環境商材】簡単設置で省エネ！「エレクトロライフ」

PR【特許取得製品】 電解技術で冷却塔などのスケールを強力除去、再付着も…

「エレクトロライフ EL-10A-1」は、冷却塔などの循環冷却水系に付着するスケールを、電解技術を用いて強力に除去、再付着を防止する製品です。 (特許第4214139・第4644677) 従来の薬剤注入、磁石、弱電解の方法より、強力な除去効果を発揮します。これにより熱交換効率を改善し、大きな省エネ効果とCO2削減効果を図ることが可能になります。 また、スケール分散剤などの薬品も使用し...

メーカー・取り扱い企業： イツワ商事株式会社 大阪本社

セラミックス触媒による排気脱臭技術『セラ・ダイナミックス』

PR繰り返し使えて長寿命！自己再生能力を持つセラミックでカンタン悪臭対策！

『セラ・ダイナミックス』は、セラミック触媒を使用し、 排気などのニオイを強力脱臭できる技術です。 空調ダクトや排ガスダクトに設置するだけで、悪臭、油ミスト、有機溶剤を 強力に吸着、分解、無害化し、悪臭防止法・PRTR・近隣対策ができます。 30万～40万種と言われる臭気成分に幅広く対応可能。 用途や臭気成分などの条件に合わせて選べる製品ラインアップも魅力です。 【『セラ・ダ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ファインセラ

【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［TOC］全有機体炭素測定

TOC計は、試料中の全炭素量 、全有機体炭素量、無機体炭素量（IC：を…

C）と無機体炭素（IC）を個別に測定し、その差から全有機体炭素（TOC）を求めます。 ■NPOC法（液体試料） 試料にあらかじめ酸を加えて酸性（pH3以下）にし、通気処理を行うことで、ICを除去します。このICを除去した試料のTCを測定することにより、TOCを求めます。TOCが低い試料に適していますが、原理上の理由から揮発性有機化合物が多い場合は上記のTC-IC法をお勧めします。 ■...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

積層構造試料のSIMS分析において、試料表面から深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去してから分析することが有効です。本資料では、 InP/InGaAs系 SHBT（Single Heterojunction Bipolar Transistor）試料について、選択的かつ段階的に層を...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことが...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価

ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能

半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点からウエハ裏面に残留する金属を除去することが求められており、金属成分の残留量を定量的に把握することが重要です。 ベベル部から500umの範囲で裏面に残留する金属濃度分布を調査するため、TOF-SIMSを用いて評価を行いました。TO...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】水素水の含有水素濃度評価

水素水などの溶液中水素濃度測定が可能です

水素水は体内の活性酸素を除去できると言われており、抗酸化作用に注目が集まっています。ただし、水に溶ける水素量はわずかであり、空気中に放置すると徐々に水素が抜けてしまうことや、水素は非常に小さい分子であるため、保存容器によっては...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機成分洗浄効果の評価

300mmウェハをそのまま測定できます

-SIMSには有機物、無機物を同時評価、微小領域に対応、最表面を感度よく分析できる、300mmウェハのまま評価可能という特徴があり、洗浄工程での残渣調査などに力を発揮します。 Si表面の有機汚染の除去効果の分析事例をご紹介します。XPSでアミン系有機物は極微量であることが確認されている試料について、TOF-SIMS分析を行いました。微小領域においても、このように極微量の成分まで測定可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

クダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Siウエハの保管状態による表面汚染評価

フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価

試料搬送時の汚染及び酸化の影響についての知見は、検出深さがnmオーダーの表面分析において重要です。そこで、保管方法の違いによる汚染･酸化の影響をSiウエハにおいて検討致しました。 薬包紙・アルミホイル保管では、一般的に見られる二次汚染による有機物のピークは弱い傾向が見られます。試料保管・搬送時にアルミホイルのつや無し面で包んで保管すると、他の保管方法に比べて汚染、酸化を抑制することができます。....

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】フラックスの洗浄残渣評価

微小・極薄の残渣をイメージとして捉えます

近年のＰｂフリーハンダ導入に伴い、フラックス成分も改良（活性度が高い、熱耐性がある等）が進み、腐食性が大きくなり、残渣の問題も重要度を増しています。そのため、フラックスを除去することが求められています。プリント基板電極部の異物について、TOF-SIMSを用いた分析を行った結果、フラックスの成分が検出されました。...

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【分析事例】液晶パネルの異物・汚れ成分の同定・推定

ミクロンからセンチオーダーの異物・汚れをイメージとして捉えます

液晶パネルの量産化において、欠陥（異物・汚れ)を除去することが求められています。そこで、原因となる異物・汚れが何に起因するか調査することは、歩留まり向上に有効です。 液晶パネルの異物・汚れを評価した事例を紹介します。TOF-SIMSではμm～cmオ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［FT-IR］フーリエ変換赤外分光法

数十μm角程度の領域の測定が可能

赤外分光法は、分子の振動による赤外線吸収を測定することで、分子構造の情報を得る手法です。 ・非破壊での測定が可能 ・真空下での測定により、大気成分であるCO2やH2Oの影響を除去することが可能 ・顕微測定により、数十μm角程度の領域の測定が可能 ・透過法、反射法、ATR法などを用いることで、様々な形状や状態の試料を測定することが可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［GDMS］グロー放電質量分析法

特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

ら主成分レベルまでのバルク分析が可能 ・μmオーダーの深さ方向分析、薄膜分析が可能 ・導電性材料、及び補助電極を用いることで半導体材料、絶縁物材料も分析が可能 ・質量分解能が高く、妨害イオンの除去が可能 ・水素と希ガスを除く、Ｌｉ以下のほとんどの元素について測定が可能 ・同位体比測定が可能...

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【分析事例】半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS：紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定 価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。 ■イ...

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【分析事例】定量計算における妨害ピーク除去処理

XPS：Ｘ線光電子分光法

価を妨害することがあります。 *通常、最外殻に近い内殻準位から放出された、強度の高い光電子ピークを使用します。 XPS分析の定量計算では、このような妨害ピークについて、主として以下の2方法による除去計算を行っています。 1.感度係数比を用いた除去 2.波形分離を用いた除去...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS太陽電池へテロ接合界面の抵抗評価

真空下での走査型広がり抵抗顕微鏡（SSRM）による局所抵抗分布評価

CIGS薄膜太陽電池のZnO/CdS/CIGSの多結晶へテロ接合界面をSSRM法で分析し、局所的な抵抗分布を計測しました。真空環境下で測定することで、測定表面の吸着水を除去し、高空間分解能を得ることができます。測定結果から、ナノメートルレベルの空間分解能で各層の抵抗値を計測できていることが分かります。各層の抵抗値が数桁異なり、これがキャリア濃度の違いを示しています。C...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価

金属成分と有機成分を同時に評価可能です

半導体デバイス製造において、歩留まり向上の観点から、ウエハの裏面の清浄度向上に加え、ウエハのベベル部に残留する物質を除去することが求められています。今回、ベベル傾斜面のTOF-SIMS分析を行い、汚染の分布を評価しました（図2）。また、付着物と正常部・汚染源のマススペクトルを比較し、付着物は汚染源の金属（Cr）成分・...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST