79GHzミリ波レーダー方式 非接触型振動センサー

PR悪環境(高温等)でも影響なし！40KHzまでの広帯域・高振動周波数の計…

当製品は、79GHzミリ波レーダー技術を応用した レーダー信号処理プロセッサー内蔵の振動センサーです。 内蔵レンズ付きアンテナにより狭範囲の測定が可能。 40KHzまでの広帯域・高振動周波数の計測ができます。 0.03μm(pk-pk)程度の極微小変位計測能力があります。 また、非接触計測なので機械共振の心配がありません。 【特長】 ■0.03μm(pk-pk)程度の極微...

メーカー・取り扱い企業： サクラテック株式会社

【三球温度計】気温計測用システム センサー・データロガー

PR測温データをPCで簡単管理！放射の影響を取り除き、高精度な測温が可能

当システムは、感温部のサイズが異なる3本の熱電対の出力値から 放射の影響を理論的な計算で測定する“三球温度計”を活用することで、 省電力で精度の高い測定を実現したシステムです。 強制通風の必要がなく電源が不要で省電力。3チャンネル以上の 熱電対入力可能なデータロガーがあれば測定できます。 また、センサーはコンパクトに折りたたみが可能で、運搬設置が簡単です。 【特長】 ■三...

メーカー・取り扱い企業： 名古屋科学機器株式会社

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板の品質評価

結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST