OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。...１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

SCM/SNDMは、導電性の探針を用いて半導体表面を走査し、キャリア分布を二次元的に可視化する手 法です。 ・SCM：1015～1020cm-3, SNDM：1014～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・半導体の極性（p型/n型）の識別が可能 ・キャリア濃度に相関した信号が得られるが、定量評価は不可 ・AFM像の取得も可能...■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 ...

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東京都立産業技術研究センター　車載電子機器向けEMC試験の支援

測定から対策まで一括サポート！多摩テクノプラザのEMC支援

ステム ・放射イミュニティ試験システム ■電波ノイズ試験室(3ｍ法) ・車載放射イミュニティ試験システム ・車載伝導イミュニティ（BCI）試験システム ■シールドルーム ・車載サージ・電圧変動試験システム ・車載静電気試験システム...

メーカー・取り扱い企業： 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター