【パワーデバイス】大電流用ソケット

PR様々なカスタム設計が可能！ご要望に応じて試験治具の設計提案も承ります

『大電流用ソケット』は、IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに対応するテストソケットです。 デバイスの放熱性向上用のためのクランプ固定式やネジ止め式など様々な カスタム設計が可能。低抵抗な材料を用いて100A以上の大電流に対して 製作できます。 大電流の需要が高まっているので、パワーエレクトロニクス分野へ力を入れています。 【特長】 ■IGBT、電流センサ等のパワーデバイスに...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＳＤＫ

【ソーラーパネル計測器】リユースチェッカーRUC-100

PR【初心者でも簡単】太陽光パネルの再利用の可否を瞬時に選別！リユース利用…

『リユースチェッカーRUC-100』は、電気の専門知識がない方でも 太陽光パネルの電気的な不良品を判定できるようにすることを目的とした、 簡易の診断機器です。 5つの測定項目を総合的に自動判断し、液晶ディスプレイに○☓判定で 表示することで、容易に選別判定が可能。 測定項目はパネル毎に機器内蔵メモリーに保存できるほか、CSVデータは 出力可能です。 【特長】 ■液晶ディ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

［EBIC］電子線誘起電流

試料内部の電界構造（半導体の接合構造）に関する情報を得ることができる手…

M装置内で電子線を照射することで、試料内で正孔電子対が発生します。 通常は再結合して消滅しますが、空乏層など内部電界を有する領域で正孔電子対が生じた場合はキャリアが内部電界でドリフトされることで起電流として外部に取り出すことができます。 この起電流をEBIC（Electron Beam Induced Current）と呼び、SEM像と併せて取得することでpn接合の位置や空乏層の広がりを可視化...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】CIGS膜のpn接合評価および結晶粒評価

SEMによる電子線誘起電流法・結晶方位解析

開発が進められています。多結晶薄膜の特性を評価するため、EBICによるpn接合の評価・EBSD法による結晶粒評価を同一断面で行いました。CIGS膜の断面を作製し、電子ビームを走査することによって、起電流（EBIC）を測定し、起電流の面内分布を可視化しました。また、同一面のEBSDを測定することにより、起電流の分布と結晶粒との対応をとりました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）

OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗…

抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

EMS分析（エミッション顕微鏡法）

故障箇所を迅速に特定

発光源としては、空間電荷領域でのキャリアの電界加速、電流集中、Ｆ-Ｎトンネル電流など電界加速キャリア散乱緩和発光によるもの、pn接合順方向バイアス、ラッチアップなどバンド間キャリア再結合発光によるもの、配線間ショート、配線の細りによる抵抗増大による熱放射...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

量分析法 ほか ○光電子分光法 XPS　X線光電子分光法 UPS　紫外光電子分光法 ○電子顕微鏡観察・分析 AES　オージェ電子分光法 SEM　走査電子顕微鏡法 EBIC　電子線誘起電流法 ほか ○振動分光 FT-IR　フーリエ変換赤外分光法 Raman　ラマン分光法 ○X線回折関連 XRD　X線回折法 SAXS　X線小角散乱法 XRR　X線反射率法 ○SPM関連...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SEM］走査電子顕微鏡法

高倍率観察(30万倍程度まで)が可能

の範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 　EDX検出器による元素分析が可能 　電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 　電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能 　FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ロックイン発熱解析法

ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します

・IR-OBIRCH機能も合わせ持ち、発熱箇所特定後、IR-OBIRCH測定により、故障箇所をさらに絞り込むことができます。 ・赤外線を検出するため、エッチングによる開封作業や電極の除去を行うことなく、パッケージのまま電極除去なしに非破壊での故障箇所特定が可能です。 ・ロックイン信号を用いることにより高いS/Nで発熱箇所を特定でき、Slice ＆ Viewなど断面解析を行うことができます。.....

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】積層セラミックコンデンサ(MLCC)の加熱SSRM

誘電体内の伝導パス(絶縁劣化箇所)の可視化

合わせることで、温度変化に伴う誘電体材料の絶縁劣化を可視化した事例を紹介します。 測定法：SSRM(走査型拡がり抵抗顕微鏡) 製品分野：誘電体材料、コンデンサ、MLCC 分析目的：抵抗値分布、電流分布、絶縁劣化評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となり...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているS...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察

前処理から発光箇所特定まで一貫解析

00V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析

Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析

ってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の試料でも発熱箇所の特定を行うことが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 2000Vまで印加可能な高電圧電源を用い、高耐圧で低リーク電流のパワーデバイスを動作させ、エミッション顕微鏡で故障箇所を特定する例を紹介します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価

実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます

近赤外VCSEL（面発光レーザー）の実装品を解体して微小なチップを取り出し、断面加工の後にSMM計測を実施しました。 VCSELの開口部を取り囲むように、高抵抗の電流狭窄層が観察されました。また、活性層近傍では材質の異なる膜が積層しており、この組成を反映したコントラストとして計測されました。同一組成の層内にもコントラストが確認され、これはキャリア濃度差やバンドの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［ICP-MS］誘導結合プラズマ質量分析法

導結合プラズマ（ICP）を励起源として用いた無機元素分析の手法です

ICP-MSは特定の質量/電荷比（m/z）のイオン強度を測定する手法です。イオン源としては一般的にアルゴンプラズマが用いられます。 アルゴンプラズマは、高周波電流の流れる誘導コイルを巻いた石英3重管にアルゴンを流すことで得られ、非常に高いガス温度、電子温度を持つため、多くの元素に関して90％以上のイオン化が可能です。 多くの金属は＋1価のイオンとして質量分析...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能

■広がり抵抗とは 試料にバイアス電圧を加えて、探針直下に存在するキャリアを探針に流入させ、その電流を対数アンプで増幅して、抵抗値として計測します。このとき、印加したバイアス電圧は、探針の直下で急激に減衰します。そのため、探針に流入できるキャリアは、探針の極近傍に存在するものに限られ、これを抵抗値...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［SEM-EDX］エネルギー分散型X線分光法（SEM）

電子線照射により発生する特性X線を検出し、エネルギーで分光することによ…

合、SEMまたはTEMに付属しており、本資料ではSEM付属のEDXについて解説します。 ・測定範囲の全エネルギー（B～U）が同時に短時間で測定可能 ・検出効率に優れているので、少ないプローブ電流で測定が可能 ・特殊な試料を除き、前処理不要で手軽に分析を行える ・未知試料の分析に適している ・クライオホルダーを用いることで凍結・冷却した状態で測定可能...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST