静電容量型荷重変位センサ『スマートフォースセンサ』

PR検出部と信号処理部を簡素化し小型化を実現！過負荷に強いので扱いが簡単！

『スマートフォースセンサ』は、金属ばね製造技術と電子制御技術を 融合させた静電容量型の荷重変位センサです。 非常にコンパクトで、既存のロードセルのように大掛かりな付帯機器が不要。 検出部と信号処理部を簡素化し、小型化を実現しました。 また、オプションのUSBケーブルを使用するとPC上で簡単に 出力を確認できます。 【特長】 ■静電容量型 ■アンプ不要 ■過負荷に強いの...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アキュレイトシステムズ 伊那事業所

スマートディスプレイ－直観的なGUIを開発、ホストとシンプル接続

PRCTP搭載の高解像度広視野角TFT液晶モジュール。GUIとタッチを直感…

画面サイズ 3.5/4.3/5.0/7.0/10.1インチ、主要なサイズをカバーしたCTP搭載の高解像度広視野角TFT液晶モジュールです。 開発環境（GUI作成ツールと開発キット）が用意されており、PC上でソフトウェア言語を使用せずに操作性のよいGUIを短期間で作成できます。 GUI作成ツールには、画面に表示するオブジェクト（ボタン、メーター、アイコン等）が多数用意されており、タッチ機能を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社デンシトロン

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 探針と半導体との接触箇所はMOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

エ変換赤外分光法 Raman　ラマン分光法 ○X線回折関連 XRD　X線回折法 SAXS　X線小角散乱法 XRR　X線反射率法 ○SPM関連 AFM　原子間力顕微鏡法 SCM　走査型静電容量顕微鏡法 SSRM　走査型広がり抵抗顕微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC　熱分析 EMS　エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』 ○FIB法...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 20...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されてい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST