フッ素樹脂PFA・静電気防止タイプ熱収縮チューブ　GRC-PB

PR静電気を帯びにくくなると同時に帯電量を軽減させる効果も期待出来ます

・静電防止の特性 静電気を帯びやすいフッ素樹脂PFAカーボンを添加する事により、静電気が問題になる用途にもお使い頂けます。静電気を帯びにくくなると同時にロールに接触する製品(例えば紙・フィルム等)の帯電量を軽減させる効果も期待出来ます。 ≪特長≫ フッ素樹脂PFAのもつ非粘着特性を損なうことなく、静電気防止効果を付与しました。 1. 静電防止特性 2. 非粘着性（汚れがつきに...

メーカー・取り扱い企業： グンゼ株式会社 エンプラ事業部

静電気除去装置　※設置例付き

PRクリーン環境の除電に好適！印刷等のラインスピード300～500m/分の…

当社で取り扱う、電気力線方式の「静電気除去装置」をご紹介いたします。 放射電極より電気力線を放射し、この電気力線により帯電体より放射している静電力線を消滅し除電する構造。 帯電している極と反対の電気力線が引きつけあい、電気力線自体の回り込む性質上、品物の裏まで除電出来ます。 また、高真空層内の除電ができ、使用電力は2～5W前後の省エネタイプです。 【特長】 ■メンテナンスが簡単 ■送風の必要が...

メーカー・取り扱い企業： クリーンテクノス株式会社

静電粉体塗装測定

フリーイオンの影響を受けずに測定可能！塗料の静電反発を把握して予測可能

『静電粉体塗装』では、測定塗膜不良を防止して塗料品質向上をするための 1つのファクターとして、塗料粒子の電荷量を測定することで塗膜の静電気的 付着力を把握できます。 塗料の組成、塗料粒子径、塗料条件...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ユーテクノソリューションズ

静電破壊した橙色LEDの不良解析

良品と静電気（ESD）破壊品の輝度・特性の比較、EMS顕微鏡による発光…

当社では、静電破壊した橙色LEDの不良解析を行っております。 ESD試験にて破壊され、発光強度の低下したLEDはエミッション発光と IR-OBIRCH法を用いて解析し、不良現象を明らかにすることが可能です...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 探針と半導体との接触箇所はMOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【資料】今さら聞けない！高周波について

疑問の答えがこの一冊に！高周波部品やシールドなど、キャラクターが分かり…

当資料は、高周波についての疑問・答えをご紹介しております。 高周波部品(コンデンサ)、シールド(静電シールド)／GND(接地) スミスチャートとは？など当社技術者が語るノウハウを掲載。 キャラクターが分かりやすく解説した一冊となっております。 【掲載内容】 ■#026 高周波 ～高...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社Wave Technology

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

エ変換赤外分光法 Raman　ラマン分光法 ○X線回折関連 XRD　X線回折法 SAXS　X線小角散乱法 XRR　X線反射率法 ○SPM関連 AFM　原子間力顕微鏡法 SCM　走査型静電容量顕微鏡法 SSRM　走査型広がり抵抗顕微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC　熱分析 EMS　エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』 ○FIB法...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

誘電率・誘電正接 低周波

相互誘導ブリッジ法により、ブリッジが平衡時の測定物の静電容量及びコンダ…

相互誘導ブリッジ法により、ブリッジが平衡時の測定物の静電容量及びコンダクタンスから、誘電率及び誘電正接を求めます。 ・相互誘電ブリッジ法(IEC60250, ASTM D150) 周波数60～1MHz, (温度範囲 -60～200℃) ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ＤＪＫ

【受託測定】　その他

これまで不可能と考えていた微粒子の精密分級が可能になりました。

ふるいとサンプルをセットした容器内に空気吸引を行うことにより、サンプルを強制的に空気の流れに乗せ、分級する空気吸引式（乾式分級）は、静電付着による凝集粉等に効果のある分級方法です。これまで不可能と考えていた微粒子の精密分級が可能になりました。当センターでは、他にもSS残分測定、水分測定、縮分、X線分析［X線回折・蛍光X線回折］などの...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイシン企業

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 20...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価

AFM走査型プローブ顕微鏡/AESオージェ電子分光装置によりめっき部品…

AFM走査型プローブ顕微鏡とは、探針と試料表面の間に働く様々な物理的相互作用を検出し、微少領域の表面形状観察、電気・機械物性計測を行う装置です。 この物理的相互作用には、原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性、絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 AESオージェ電子分光装置では、材料の極表層（~5nm程度）の元素分析や...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

【DL可/AFM】めっき済み接点部品表面の導電性評価

AFMでは極めて微小な表面形態（凹凸）を捉えて測⾧することが可能です

AFM走査型プローブ顕微鏡は、「探針と試料表面の間に働く様々な物理的相互作用を検出し、微少領域の表面形状観察、電気・機械物性計測を行う」装置です。 この物理的相互作用には、原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性や絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 この分析装置を使い「めっき加工したコネクタ接点部品の表面処理」の調査...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

【資料DL可】高分子材料のミクロトームによる平滑化とAFM観察

クライオミクロトームとAFMで軟らかい高分子材料の各種高分解能観察が可…

AFM走査型プローブ顕微鏡とは、探針と試料表面の間に働く様々な物理的相互作用を検出し、微少領域の表面形状観察、電気・機械物性計測を行う装置です。 その物理的相互作用には、原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性、絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 また、クライオミクロトームを用いることで、凍結下で樹脂など軟らかい高...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

『各種機器分析による現象解析』のご紹介

問題解決のお手伝い！各種機器分析による現象解析

【調査分析例】 ■油中混入物の調査 ■漏油などの油種判定 ■絶縁紙の平均重合度測定（JEMA,IEC）・引張強度試験 ■帯電度測定（ミニ静電テスター、循環式帯電度連続測定） ■変圧器等解体調査　など ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： ユカインダストリーズ株式会社 東京本社

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されてい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST