『静電浄油機』消費電力の削減に貢献！使用済み油の再利用も！

PRクリーンな環境を維持！フィルターでは除去できない微細な塵まで除去できま…

油の濾過はどのように実施されていますか？ 『静電浄油機』は、フィルターの除去方法とは異なり、油に溶けていない塵を電気の力で除去します。 油を綺麗にする事で消費電力の軽減にもつながり、省エネを実現する事が出来ます。 また、使用済みの油を再利用することも可能です。 油の交換が不要で、クリーンな環境や高品質、適正サイクルタイムを維持。 生産性の安定が可能なので、製品不良率低減につながります。 【特長...

メーカー・取り扱い企業： クリーンテクノス株式会社

【新製品】エアリークを可視化ですぐに検知！ 産業用超音波カメラ

PR圧縮空気・ガスの漏れの「見える化」 圧縮エアー・ガスのリークを可視化す…

・圧縮空気・ガスの漏れの「見える化」 圧縮エアー・ガスのリークを可視化することで、すぐにピンポイントでガス漏れを画面上に表示することができます。高所や大きな配管の継手等、通常のガス検知器では難しい場所のリークも検知できます。ガス種は関係なく、可燃性ガス、蒸気のリークも検知できます。 ・見やすく操作しやすいディスプレイ 7インチのタッチスクリーンにより、簡単操作でリークを発見できます。周波数範...

メーカー・取り扱い企業： サニー・トレーディング株式会社 営業本部

［SCM］［SNDM］

キャリア分布を二次元的に可視化

■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 探針と半導体との接触箇所はMOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものに...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

研究開発を強力サポート　「受託分析サービス」

お客様からお預かりした材料・製品の受託分析を行います。前処理から測定ま…

エ変換赤外分光法 Raman　ラマン分光法 ○X線回折関連 XRD　X線回折法 SAXS　X線小角散乱法 XRR　X線反射率法 ○SPM関連 AFM　原子間力顕微鏡法 SCM　走査型静電容量顕微鏡法 SSRM　走査型広がり抵抗顕微鏡法 ○その他の測定法 白色干渉計測法 TG-DTA-MS,DSC　熱分析 EMS　エミッション顕微鏡法 『加工法・処理法』 ○FIB法...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定および解析が必須となります。本資料では不良箇所の特定をEMS(エミッション顕微鏡法)を用いて行い、不良要因解析をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)とSEM（走査型顕微鏡法）で評価した事例をご紹介します。 測定法：EMS,SCM,SEM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：故障解析・不良解析 詳しくは資料をダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査

高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定

発光像とIR像の重ね合わせにより、リーク箇所を顕微的視野で特定できます。クラックや静電破壊など大規模な外観異常がある場合は、IR顕微鏡でも異常を確認可能です。また、エミッタ電極の遮光により、発光が検出できない場合には、コレクタ電極を除去し、コレクタ側から近赤外光を検出します。 20...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】イメージセンサの拡散層形状評価

試料解体から測定まで一貫して対応します

本資料では、スマートフォン搭載のイメージセンサ拡散層に関して評価した事例をご紹介します。 半導体のp/n型を判定可能なSCM（走査型静電容量顕微鏡）を用い、拡散層がどのような分布となっているかを評価しました。今回、断面と平面のSCM結果を組み合わせることで、相補的かつ広範囲の情報が得られました。 SCM は、イメージセンサ拡散層の...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されてい...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST