★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

基板設計・実装・組立サービスのご提案

PR設計から実装・検査・出荷まで柔軟に対応します。 さまざまなメーカーの…

「ヨーホー電子では、設計・基板実装・組立を通して、 お客様と共に新たな価値を創造します」 当社独自の基板実装ノウハウと確かな設計技術を基に、部品調達、ディスクリート実装、表面実装、製品組立、各種検査などさまざまな作業のご要望に対応します。 設計では、実装ノウハウを生かした作りやすさ重視の設計に対応しています。 実装では、小型高密度基板、大型制御基板、電源系基板など、さまざまなタイプの基...

メーカー・取り扱い企業： ヨーホー電子株式会社

PVAテプラ社マイクロ波プラズマ処理装置(後工程向け)

世界中のOSATのお客様向けに多くの実績があり、信頼性のあるパフォーマ…

マイクロ波(2.45GHz)により高密度のプラズマを生成することで、非常に効果的な表面処理が可能となります。また、お客様の様々なパッケージング工程に対応したプロセス形態をご選択いただくことができます。 ダイアタッチ、ワイヤーボンディン...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

PVAテプラ社マイクロ波プラズマ処理装置(前工程向け)

ユニークなウエハー移載機搭載のバッチ処理装置から枚葉処理装置まで、世界…

2.45GHzのマイクロ波で励起された高密度のプラズマと、イオンの運動エネルギーを抑制することで、ダメージレスのプロセス結果を得ることができます。 ウエハープロセスにおけるアッシング、レジスト剥離、MEMSなどのSU-8レジストアッシン...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

Ion Beam Delayering装置/半導体物理解析

半導体故障解析 歩留まり解析 リバースエンジニアリング マイクロ…

マイクロエレクトロニクス市場では、より高性能で高密度の半導体を求める動きがあり、最近の設計では層厚を薄くし層内の構造をコンパクトにしています。しかし、このようなチップに従来の加工技術を適用することは手間とコストがかかる上に、エラーが発生しやすくなり...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社