窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

バイポーラトランジスタ ELM2N5401FA

汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ

・小型パッケージのSC-70を採用しています。 ・高耐圧：BVceo = -160V です。 ・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。 ・Pb フリー、ハロゲンフリーです。...絶対最大定格（Ta = 25℃） ・コレクタ・ベース間電圧（Vcbo):-160V ・コレクタ・エミッタ間電圧(Vceo):-160V ・エミッタ・ベース間電圧(Vebo):-7V ・コレクタ電流(I...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と 高いスイッチング周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■6...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL