高耐圧 逆流防止ダイオード DKA40BA300

太陽光発電システム対応 直流逆電圧 3000V耐圧(チップ当たり)絶…

■ DC1500Vストリング 太陽光発電システム対応 ■ 直流逆電圧 3000V耐圧(チップ当たり)絶縁型パッケージ ■ 高耐圧でありながら低損失 高放熱を実現 ストリングの高電圧化により、発電システム全体の損失が軽減し、発電効率が向上。 並列ストリング数も減らせるため 電線長 接続箱の回路数 が削減でき、導入コスト削減につながります。...最大定格 直流逆電圧 VR(DC) : 3...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

600V 非絶縁型高速ダイオードモジュール DKR400CA60

高信頼性と軽量化を実現した600V耐圧 トランスファーモールド採用 非…

600V耐圧 小型軽量 非絶縁型高速ダイオードモジュール 溶接機やプラズマ切断機などの二次側整流用途には、高耐圧でスイッチングロスが小さく、逆リーク電流が小さい高速ダイオードが用いられます。 高速ダイオードチップに独自のTechno Blockパッケージ技術を組み合わせることで、優れた長期信頼性、高温動作及び、小型・軽量化を実現しております。 *Techno Blockパッケージ技術...

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『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 ...

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窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

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ダイオードモジュール DCA200/240DB・DCA240EB

放熱(長期信頼性向上)・軽量化を目的に内部構造を刷新

【特徴】 低積層構造による高放熱化(低熱抵抗化)と、チップの両面はんだ接合との相乗効果で長期信頼性を向上。さらに内部設計と材料の最適化による軽量化を実現。 ●DCA200/240DB 高放熱(高信頼性)モデル 新設計の低積層構造により放熱性を改善。チップに対する熱応力を大幅に低減したことで約2倍のパワーサイクル耐量を実現(SanRex社従来品比)。装置の信頼性に寄与。 ●DCA200DB2...

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逆流防止ダイオード DKA40AA220

逆流防止ダイオード DKA40AA220 (20A/2200V)

■ DC1000Vストリング 太陽光発電システム対応 　太陽光パネルの保護、出力電力低下防止に効果的 ■ 配線が容易な端子配列を採用 ■ ストリングの高電圧化により、システム全体のストリング数が減らせ、配線の細線化、配線長の短縮が可能 ■ 新開発、専用ダイオードチップの採用で、高耐圧でありながらVF、熱抵抗を改善 ■ 2200V耐圧2個入り絶縁型パッケージ ■ 低Vf (順電圧降下) ...

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基板実装型 定格電流マルチに対応可能な直流電流センサー HXS

基板実装型のASIC搭載 高精度直流電流センサー (オープンループ)

ASIC搭載のオープンループタイプ 電圧出力の直流電流センサー ■ 小型 低背計上で基板スペース、空間スペースを削減 ■ 端子を基板上で配線接続することにより、定格電流(Ipn)の1/2, 1/4の電流値対応 ■ 高いパフォーマンスとコスト効果の製品 ■ 低オフセットドリフト ■ 早い応答速度 ■ 低い消費電力 ■ 絶縁耐圧3500V ＊仕様詳細はデータシートをダウンロード...

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『HLSRシリーズ』ホールASIC搭載オープンループ型電流検出器

最新世代の独自開発ホールASIC搭載オープンループ型(磁気比例式)高精…

温度補正機能、オフセットキャンセル機能などの独自技術を搭載 世界各国のモータ駆動装置、エネルギー変換装置等のパワーエレクトロニクス機器に採用されております。...仕様： ・測定電流：10A/20A/32A/40A/50A ・電源減圧：+5V or +3.3V ・応答速度：2.5μs ・耐圧試験電圧：4.3kvms/50hz/1分 ・動作温度範囲：-40degC ~ +105degC ...

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SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)...50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package(Isolated)...

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