sic表面熱分解法 エピタキシャルグラフェン結晶成長装置の設計開発コンセプトは、グラフェン成長装置の小型化と簡易化。高結晶品質化・成長再現性、表面分析機器の増設・連結性と設備投資しやすい経済性です。回折パターンよりグラフェンの形成を確認。グラフェン／バッファー層が形成されています。ストリークはファセット上のグラフェンの1次元的な構造によるものと考えています。約250nm幅のテラス（0001）上にグラフェンが均一に形成され周期構造はオフ基板特有のステップパンチングの結果です。顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。サンプル表面の光学顕微鏡像に示すテラス（赤）及びファセット（青）のRamanスペクトルを示しています。典型的なグラフェンスペクトルであり．2Dの半値幅から1層グラフェンであることが確認されまた、Dバンドはファセットにおいて大きくグラフェンの1次元構造を反映した結果であると思われます。マッピングにおいてもその様子がはっきりと観察されました。
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基本情報sic表面熱分解法 グラフェン結晶成長装置
【特徴】
○sic表面熟分解法によるエピタキシャルグラフェン形成装置
○熱分解グラフェン成長に適したsic基板加熱機構を装備
→成長後の既存UHVチャンバーへの接続・増設が容易
○超高真空対応
→超高真空表面分析装置・評価装置との接続が可能で、高品位成膜に寄与
○ガス導入系マウント構造
→基板表面にガス導入し、効率的で再現性の良いエピ成長環境を確保
○コンパクトなチャンバーでありながら、RHEED／LEED増設insitu観察が可能
○成長条件
→温度：1800℃（バイロメータ）
→時間：10分
→雰囲気：高純度アルゴンガス（360sccm）大気圧
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カタログsic表面熱分解法 グラフェン結晶成長装置
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