レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM テックインサイツジャパン株式会社（TechInsights）

Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型（エンペッド）DRAM である Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです。
このインテグレーテッド・グラフィックユニットはローエンドGT1、ミッドレンジGT2、ハイエンドGT3等の様々な特色を持っています。GPU ICの中での最高のパフォーマンスを持つバージョンはGT3eです。

【特徴】
■GT3e：メタル9層、22nm TriGate トランジスタテクノロジで埋込型DRAMも構成されている
■シリコンソース・ドレインがNMOSトランジスタに使われ、SiGe が PMOS トランジスタに使われている

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基本情報レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

【その他】
○埋込型DRAMキャパシター（0.029μｍ2 cell size）はトレンチパターンでILDダイエレクトニクスに構成されており、メタル3層4層でサポートされている。
○キャパシタートレンチの下部（底）はビア1とメタル2層Ta-based バリア層によりサポートされている。
○NMOS FinFET トランジスタはeDRAMアクセストランジスタに使われており、ワードラインピッチは107nm。

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取扱企業レポート　Intel 22nm Haswell eDRAM

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テックインサイツは、カナダの首都オタワに拠点を置くグローバルなマイクロエレクトロニクス業界を対象とした技術・知財コンサルタント会社です。弊社は、VLSI集積回路および電子システムの綿密な技術調査・解析を通じて、顧客の知的財産（IP）権の行使や新しいテクノロジーおよび製品の開発と商品化をサポートします。